|
Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://www.schools.keldysh.ru/sch1216/students/pzs/dan02.htm
Дата изменения: Sun Jun 16 11:42:19 2002 Дата индексирования: Sat Dec 22 01:54:09 2007 Кодировка: Windows-1251 |
Строение ПЗС.![]()
Поперечное сечение типичного
трехфазного ПЗС показано на рисунке.
Структура состоит из слоя кремния р-типа
(подложка), изолирующего слоя двуокиси кремния и
набора пластин-электродов. Один из электродов
смещен более положительно, чем остальные два, и
именно под ним происходит накопление заряда.
Полупроводник р-типа, получают добавлением
(легирование) к кристаллу кремния акцепторных
примесей, например, атомов бора. Акцепторная
примесь создает в кристалле полупроводника
свободные, положительно заряженные носители -
дырки. Дырки в полупроводнике р-типа являются
основными носителями заряда: свободных
электронов там очень мало.
Режим хранения информации, когда сигнальный зарядовый пакет находится под средним электродом, напряжение на котором выше, чем на соседних. Процесс переноса сигнального заряда начинается в тот момент, когда на один из затворов подается импульс более высокого напряжения . Основными типами приборов с зарядовой связью являются ПЗС с поверхностным каналом и ПЗС со скрытым каналом. В ПЗС с поверхностным каналом заряды хранятся и переносятся у границы раздела полупроводник - диэлектрик. В ПЗС со скрытым каналом благодаря специальному легированию подложки эти процессы происходят в толще полупроводника на некотором удалении от границы с диэлектриком. Отметим также, что при конструировании конкретных микроэлектронных устройств на ПЗС (в зависимости от их назначения) применяются различные схемы организации тактового питания и взаимного расположения затворов.
Трехфазный n-канальный ПЗС в более
подробном виде (вместе с входным и выходным
устройствами) показан на рисунке.
Собственно ПЗС, или ПЗС-регистр, здесь составляют
три пары электродов переноса (затворов),
подсоединенные к шинам тактового питания.
Входное устройство, состоящее из входного диода
и входного затвора, обеспечивает ввод сигнальных
зарядовых пакетов под первый электрод переноса
регистра. Экстракция и детектирование зарядовых
пакетов обеспечиваются выходными затвором и
диодом.
Двумерный массив (матрицу) пикселей получают с помощью стоп-каналов, разделяющих электродную структуру ПЗС на столбцы. Стоп каналы - это узкие области, формируемые специальными технологическими приемами в приповерхностной области, которые препятствуют растеканию заряда под соседние столбцы.