Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.sao.ru/Doc-k8/Events/2010/VAK/Tezisi/067_tesis__HEMT_MMIC_.doc Дата изменения: Wed Aug 11 13:31:12 2010 Дата индексирования: Sat Sep 11 20:32:48 2010 Кодировка: koi8-r Поисковые слова: п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п п

СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ДЛЯ
ПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА

Миннебаев В.М.

Федеральное Государственное Унитарное Предприятие «Научно-Производственное
Предприятие «Пульсар», г. Москва, Россия, mail6@pulsarnpp.ru

АБСТРАКТ

В работе представлен обзор современных малошумящих транзисторов и МИС
миллиметрового диапазона, описаны преимущества использования различных
полупроводниковых материалов для использования их в качестве основы при
изготовлении активных элементов, работоспособных при температурах
водородного уровня охлаждения. Рассмотрены различные типы транзисторов
(НЕМТ, РНЕМТ, МНЕМТ и т.п.), особенности их изготовления, эксплуатационные
и стоимостные параметры. Обсуждены преимущества и недостатки использования
дискретных транзисторов и МИС в криоохлаждаемых МШУ.
Сообщаются результаты разработок, перспективы освоения и перспективы
развития малошумящей полупроводниковой элементной базы миллиметрового
диапазона в РФ и странах ближнего зарубежья. Рассмотрены возможности
использования foundry (фабрики-изготовители, представляющие библиотеки
элементарных элементов для проектирования и последующего изготовления по их
технологиям полупроводниковых чипов) при разработке и производстве
малошумящих транзисторов и МИС.