Vladimir A. Krupenin

Vladimir A. Krupenin

Nanoelectronics
Senior researcher

ISTINA
E: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
P: +7 (495) 939-39-87

Publications

Паршинцев, А., Солдатов, Е., Кашин, В., Колесов, В., Крупенин, С., иљРешетилов, А. Создание планарных систем наноэлектродов для биосенсоров.љИзвестия РАН. Серия физическая 78, 2 (2014), 216?221. [љDOIљ]

Преснов, Д., Амитонов, С., Власенко, В., иљКрупенин, В. Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе.љРадиотехника, 1 (2014), 35?39.љ[љURLљ]

Presnov, D.љE., Amitonov, S.љV., Krutitskii, P.љA., Kolybasova, V.љV., Devyatov, I.љA., Krupenin, V.љA., and Soloviev, I.љI. A highly ph-sensitive nanowire field-effect transistor based on silicon on insulator.љBeilstein journal of nanotechnology 4љ(2013), 330?335. [љDOIљ]

Amitonov, S., Presnov, D., Rudakov, V., and Krupenin, V. Field-effect transistor with nanowire channel based on heterogeneously doped soi.љRussian Microelectronics 42, 3 (2013), 160?164. [љDOIљ]

Амитонов, С., Преснов, Д., иљКрупенин, В. Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторе.љРадиотехника, 5 (2013), 30?34.љ[љURLљ]

Амитонов, С., Преснов, Д., Рудаков, В., иљКрупенин, В. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе неравномерно легированного КНИ.љЖурнал Микроэлектроника 42, 3 (2013), 200?205. [љDOIљ]

Преснов, Д., Крупенин, В., иљАмитонов, С. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом ? основа молекулярного биосенсора.љРадиотехника, 9 (2012), 122?126.

Presnov, D., Amitonov, S., and Krupenin, V. Silicon nanowire field effect transistor made of silicon-on-insulator.љRussian Microelectronics 41, 5 (2012), 310?313. [љDOIљ]

Преснов, Д., Амитонов, С., иљКрупенин, В. Полевой транзистор с каналом-нанопроводом на основе кремния на изоляторе.љЖурнал Микроэлектроника 41, 5 (2012), 364?367.

Залунин, В., Крупенин, В., Васенко, С., иљЗорин, А. Моделирование одноэлектронных транспортных процессов в тонких гранулированных хромовых пленках.љПисьма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики" 91, 8 (2010), 436?441.

Крупенин, В., Преснов, Д., Власенко, В.,љиљАмитонов, С. Полевой транзистор на основе кремниевого нанопровода.љРадиотехника 3, 3 (2009), 104?107.

Крупенин, В., Преснов, Д., иљВласенко, B. Зарядовый шум в одноэлектронном транзисторе из высокодопированного кремния-на-изоляторе.љРадиотехника 1, 1 (2008), 78?83.

Lotkhov, S., Krupenin, V., and Zorin, A. Cooper pair transport in a resistor-biased josephson junction array.љIEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 56, 2 (2007), 491?494. [љDOIљ]

Krupenin, V., Zalunin, V., and Zorin, A. The peculiarities of single-electron transport in granular cr films.љMicroelectronic Engineering 81, 2-4 (2005), 217?221. [љDOIљ]

Krupenin, V., Presnov, D., Zalunin, V., Vasenko, S., and Zorin, A. A strongly asymmetric single-electron transistor operating as a zero-biased electrometer.љJETP Letters 82, 2 (2005), 77?80. [љDOIљ]

Крупенин, В., Преснов, Д., Зорин, А., Васенко, С., иљНимайер, Ю. Проблема флуктуаций фонового заряда в металлических одноэлектронных транзисторах и ее возможное решение.љНелинейный мир 3, 1-2 (2005), 27?39.

Fokin, Y., Krupenin, S., Murzina, T., Aktsipetrov, O., Soria, S., and Marowsky, G. Ferroelectric switching and phase transitions in thin cells of chiral smectic liquid crystals.љSurface Science 566љ(2004), 783?788. [љDOIљ]

Krupenin, V., Zorin, A., Presnov, D., Savvateev, M., and Niemeyer, J. Metallic single-electron transistor without traditional tunnel barriers.љPhysics Uspekhi 44, Supplement 171 (10) (2001), 113?116. [љDOIљ]

Krupenin, V., Zorin, A., Savvateev, M., Presnov, D., and Niemeyer, J. Single-electron transistor with metallic microstrips instead of tunnel junctions.љJournal of Applied Physics 90, 5 (2001), 2411?2415. [љDOIљ]

Krupenin, V., Presnov, D., Zorin, A., and Niemeyer, J. A very low-noise single-electron electrometer of stacked-junction geometry.љPhysica B 284љ(2000), 1800?1801. [љDOIљ]

Krupenin, V., Presnov, D., Zorin, A., and Niemeyer, J. Aluminum single electron transistors with islands isolated from the substrate.љJournal of Low Temperature Physics 118, 5-6 (2000), 287?296. [љDOIљ]

Zorin, A., Lotkhov, S., Pashkin, Y.љA., Zangerle, H., Krupenin, V., Weimann, T., Scherer, H., and Niemeyer, J. Highly sensitive electrometers based on single cooper pair tunneling.љJournal of Superconductivity (Plenum) 12, 6 (1999), 747?755.љ[љDOIљ]

Krupenin, V., Lotkhov, S., Scherer, H., Zorin, A., Weimann, T., Ahlers, F., Niemeyer, J., and Wolf, H. Charging and heating effects in a system of coupled single-electron devices.љPhysical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 59, 16 (1999), 10778?10784.љ[љDOIљ]

Pavolotsky, A., Weimann, T., Scherer, H., Krupenin, V., Niemeyer, J., and Zorin, A. Multilayer techinque for fabricating nb junction circuits exhibiting charging effects.љJournal of Vacuum Science & Techology B 17, 1 (1999), 230?232.

Pavolotsky, A., Weimann, T., Scherer, H., Niemeyer, J., Zorin, A., and Krupenin, V. Novel method for fabricating deep submicron nb/alox/nb tunnel junctions based on spin-on glass planarization.љIEEE Transactions on Applied Superconductivity 9, 2 (1999), 3251?3254. [љDOIљ]

Zorin, A., Pashkin, Y.љA., Krupenin, V., and Scherer, H. Coulomb blockade electrometer based on single cooper pair tunneling.љApplied Superconductivity (Elsevier) 6, 7-9 (1998), 453?458.

Krupenin, V., Presnov, D., Savvateev, M., Scherer, H., Zorin, A., and Niemeyer, J. Noise in al single electron transistors of stacked design.љJournal of Applied Physics 84, 6 (1998), 3212?3215. [љDOIљ]

Крупенин, В., Лотхов, С., Шерер, Х., Вайманн, Т., Зорин, А., Алерс Ф-Й.., Нимайер, Й., иљВольф, Х. Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов.љУспехи физических наук 168, 2 (1998), 219?222.љ[љURLљ]