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Single Event Effects (SEE). . , , . : 1910 1912 1929 1936

(aurora) , e-. , . Manned balloon flights! Extraterrestrial radiation (Hess). First photographic record of cosmic ray (Skobeltsyn). Nobel prize for Hess.

1958 ( ­ Van Allen), ( ­ -_). 1969 Appolo11 ­ . 1975 Binder ­ 4- 17 . 1978 May, Woods (Intel) 16 dRAM . 1979 Ziegler, Landford (IBM) , 106 e- 1 ­ SEU (Upset). 1987 Hera - problem' RAM IBM - 210Po. 2005 RISC- (RAD750) IBM - Bae Systems 106 - 60 +125 0 200 Curiosity ( ). 200 000 greens. 2013 3- Dragon (XSpace) () .


. . SAA ­ ( ) . . SEU (), . . 400 . . 2014 . 12 - .

, . , (set, sel, seu...).

.4 , OMERE. CREAM96 (Cosmic Ray Effects on Microelectronics) .


.5. () () ( ), . , Li-Be-B C-NO. Fe K-Mn . C-N-O, Mg-Al-Si ­ , , .

. 6. ~ 2 /, Si = 106.


. 7. . CREAME96 . 2,54 (100 ) Al. 5- , . (LEO ­ Low Earth Orbit, GEO ­ , MEO ­ Medium Earth Orbit). .

. 8. (H - Fe) Particle Data Groupe. . .


. 9. (). (knee), (ankle) . . 3*1020 . , 10 ! , AGASA.

. 10. SOI CMOS , 100 . 4 , (via ­ , ). 2 N-.

. 11. 56Fe, . ~ 45 . ­ 100 /.


. 12. - (e-h) , 100 / N (t = 200 ) 2- . ( ) e-h , LET(Si) . 2/ . LET(Si)=(dE/dx) .


. 13. e-h , N- Li, O, Si Fe . ­ 45 . LET(Si) , ( ).

.14. e-h , N- ( ) 24Mg p + 28Si 24 Mgr + X ( ). - 4Mg . 50 100 N- 175 100 e-h . Si , ~ 50000 3-4 8-10 ( ). e-h .


. 15. e-h , N- ( ) 24Mg p + 28Si 24Mgr + X ( ). , Al . - 24 Mg 27Al .

. 16. . . , , . ( ) . Ziegler' (Z85 Z03).

. 17. 90- MOS- (-). ( - h+) , . , NiSi. ( . 50 ). ~ 2 . ~ 1 (90 ).


.18. , 90- . 7 , . ( ) Si, ( ). - . , , , , . Al , () . , .. , . . 19. , SOI () ­ - , IBM ( ). Si <110> (buried) (, ), ( ). , SEL (), - . , AMD -, Intel ­ . ­ , - ­ ? . 20. 90-65 ­ . - Ge . Si , , (- SiC) -. SiO2 HfSiON, (k~20-40), 1-3 . , , . , MOS ­ --. . 21 , N P ­ CMOS () ( .).


. 21 . .22. FinFET ( ). (gate), (Source-Drain -).

.23. FinFET (). ­ Hf. . , . Si <111>. Hf . Intel. . 24. . ­ , 8 . ( ?) , . chipworks, " " , ().


. 25. Intel. 4- , .. 2013 . Ivy Bridge ( ) . AMD 1 2014 . Kaveri 2-4 Radeon7, 47% . , 28, 2,4*109 (!). . chipworks, , ( ) Intel. "" .

.26. ASML TwinScan. ArF- ( 193 ), - ( TwinScan) Si- 30 , , , . «» , , . , . . , Si-.


.27. . 65 . ( ): ( ), (), () , , (), . . , -- . 2006 . ­ . , , . 30­40% . . , . . 28. 2009 . IBM (Airgap) , . 20 , . , IBM, 35% 15% . . , . 32- -- , «» .

. 29. 45- p- Intel.

45- Intel :


( ) 193 ArF ; -- 35 ( 65- ); -- 160 ( 27% , 65-) 200 ( 9% ); « », .. , ; ; HfSiON -- 1 ; p- 23 30%, 51%; ;






10- ( 2- -- ) , «» , ; , -- ; , - ; ( ) ; .

300- 568 Core 2 Duo 6 L2, 45 . Intel 20 . 25 . , , . , , , , . . 30. , 22-, 16- 11 , 3D ­ , . ~ 10 .

. 31 , - Al, .


.32. (). 200-800 ~ 1000 2***. 10 -2,7.

.32. 2- . . 184W ~1 / . , .. .

(spallation reactions) , rp ~ 0.877 , Tp = 1 rA = r0A1/3. () Z + N. r0 . rw ~ 7 , .. 508 . 184 74W ­ 8 /, - 3- . 31 ( Al ­ 56 152 , ). /p = 0,73 , r0 ~ 1 , , . (IntraNuclear Cascade - INC) ­ 0,1 (10-22 ) , . INC- , - () - .


, , -, . , 15% E* . . 34 E*(Ep) p+A. 184W, E* = 150 1 .

INCL4:

Ep =

j

+

i

+E* + Erec+ S ,

­ , ­ -, ­ , , ­ (remnant) INC-, ­ . ­ , -. ~ 12 . 230 , .

.33. INCL4 1 Gev p + Pb b = 0.

INCL4Liege (. 33), ~ 60 /c , 180 /c. E*(t) , , . , 5 , 3 0.3 ( 800 p + 184W). 200 13 . , , , . , - (remnant), , , prem = p ­ pej ­ p . ­ p . , - , (recoil) ( ) Erec = p2rem/(2mArem) . m ­ .


. 34. E*, INC- A ( 16O 238U), E. INCL4 -Liege.

. 35. (): . (saddle point) . , , . 272Hs.

, 272 Hs, . , 270 Hs ( ~ 20 ) 4 GSI, . , , , , , (scission) ­ . :

ETKin = e2Z1Z2/(R1 + R2 + d)

,

(1)


Z2 = Z ­ Z1 Z1 ­ , Z ­ . :

Ri = r0Ai1/3(1 + 2b/3),

(2)

r0 = 1,16 , b = 0,625. d ~ 2 . . . A i ­ , A1 Z1, A2 , A/Z . , , , . . (GSI) () 20 (SIS-18), ( ) 1 · . 70 , 24 24 216 . . 26,2625 / (v/c = 0,875) (87 -2), Ti-, He-. ( 10-10 ) (FRS ­ FRagment Separator) . Z FRS. (ToF ­ time-of-flight) , c 37 , vf. B 10-4. f B A : A = e ZBf /(mc e ­ , m ­ , = vf /c - -. - .

. 36. FRS.

. 37. ­ , , . . , , . , , : F >


. 38. GSI. ­ 800 p + Au. : Ar Ba ( ) Nd Au ( ). . ­ () (Z). LANL ( Mishnik Gregory Stepanovich). : .

.39. Z - N 800 MeV/ Au + p . ­ , ­ . . ­ ( ). ­ .


. 40. Lu Au. ­ , ­ LANL .

. 41. Au (800 A MeV)+p. ­ GSI, ­ (1) (2) . . , 197Au INC 3 14 , 180 Os . 800 p + W .


. 42. (1) (2) .

. 43. 800 p + Au NRV (, ) 197Au 180Os. ­ , ­ . ­ GSI.


. 44.

. 45. (e-h ), SV1 1 - (800 ) p + 184W W- , .


. 45 , SV1 8O 50Sn, , . W (w1 . 44) ~ 20,111 SV1 (, ~ 40 ). 9- W (w9), 19,23 SV1, .. . , . 800 20 . 1 2 W (150 Si ~ 15 W) SV1, . 45 . 4 5. , dE/dx ~ Zf2/Ef. - , 20 . . 45 . 5 -, . 45, , W SV1. 3 W SV1. 4-5 3 -. , 6 SV1, 10,25 . , , , , . - 36Kr w9. , . 45 : 60Nd 70Yb. Kr , (. . 38 ), 3,4 , . e-h , SV3 3 - W- , , . 45, . , , Kr w1, w9. SV2 2- , w4- Ca Sn . ( ). , Z - Z1 Z2, ( , - ), (). . 46. Ca ( ). , (He-like) (H-like) . .

, GSI, 48Ca6+ 11,4 / Ca19+ SiO2 10-20 . Ca Zeff = 19. Zeff , . p+W.
. 46. Ca . ­ SRIM Ziegler'a. ­ (30 / ).


, - (p, .). , SEE-, ' Geant4. , , . . 47 ­ 180 p + 27Al, 3 G4 (BC). 1,5-2 . , (. . 48), (QMD) Geant4 .

. 47. ­ 180 p + 27Al, ( ) Geant4 (). 3- .

.48. ­ 180 p + 27Al, () Geant4 ( ) Geant4 ( ). 3- .

, , , , , , , , , . , , , ­ , , , ( ).