Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2002 год

Статьи

• Matsumoto Tokahiro, Kato Hiroyuki, Miyamoto Kazuhiro, Sano Michihiro,.Zhukov Evgeniy A, Yao Takafumi. Correlation Between Grain Size and Optical Properties in Zinc Oxide Thin Films. Appl. Phys. Lett., v. 81, N 7, p. 1231-1233 (2002).
• Днепровский В.С., Жуков Е.А., Шалыгина О.А., Лясковский В.Л., Муляров Е.А., Гаврилов С.А., Масумото И. Экситоны в полупроводниковых квантовых нитях CdS и CdSe с диэлектрическими барьерами. ЖЭТФ, т. 121, в. 6, c. 1362-1369 (2002).
• Dneprovskii V., Zhukov E., Chernoutsan K., Shaligina O. Laser Spectroscopy of Semiconductor Quantum Wires. Proc. SPIE, v. 4762, p. 290-296 (2002).
• Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Полярные оптические вибрационные моды в полупроводниковых нанокристаллах CdTe. Материалы электронной техники, т. 1, с. 55-60 (2002).
• Гаврилов С.А., Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Механизм кислородной пассивации пористого кремния в растворах HF:HCl:C2H5OH. Физ. и техн. полупроводн., т. 36, в. 1, с. 104-108 (2002).
• Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И, Хохлов Д.Р., Лемешко С.В. Смешанные оптические моды колебаний в нанокристаллитах PbTe. Физ. и техн. полупроводн., т. 36, в. 6, с. 701-708 (2002).
• Zvyagin I.P., Keiper R. Conduction in Granular Metals by Virtual Tunneling on the Fractal percolation Cluster. Phys. Status Solidi B, v. 230, N 1, p. 151-155 (2002).
• Zvyagin I.P., Ormont M.A., Baranovskii S.D., Thomas P. Effect of Coulomb Interactions on the Density of States in Intentionally Disordered Superlattices. Phys. Status Solidi B, v. 230, N 1, p. 193-196 (2002).
• Zvyagin I.P., Baranovskii S.D., Kohary K., Cordes H., Thomas P. Hopping in Quasi-One-Dimensional Disordered Solids: Beyond the Nearest-Neighbor Approximation. Phys. Status Solidi B, v. 230, N 1, p. 227-231 (2002).
• Baranovskii S.D., Zvyagin I.P., Cordes H., Yamasaki S., Thomas P. Percolation Approach to Hopping Transport in Organic Disordered Solids. Phys. Status Solidi B, v. 230, N 1, p. 281-287 (2002).
• Baranovskii S.D., Zvyagin I.P., Cordes H., Yamasaki S., Thomas P. Electronic transport in disordered organic and inorganic semiconductors. J. Non-Crystal. Solids, v. 299-302, p. 416-419 (2002).
• Ormont M.A., Zvyagin I.P. Intentionally Disordered Superlattices: Exchange Gap in the Concentration. In: Bulletin of the Tarasov's Center of the Chemotronics of Glass, N 2, Издательский центр РХТУ, р. 97-101 (2002).
• Лебедев А.И., Случинская И.А., Манро И. Исследование локальной структуры твердого раствора PbSnS методом EXAFS-спектроскопии. Физ. тверд. тела, т. 44, в. 9, с. 1568-1572 (2002).
• Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г. Энергетические уровни структурных дефектов в диарсениде цинка. Неорган. материалы, т. 38, в. 4, с. 409-414 (2002).
• Маренкин С.Ф., Морозова В.А., Юрьев С.Г., Вольфкович А.Ю., Астахов В.В., Кондаков Н.Б. Получение, кристаллическая структура и оптические свойства тонких пленок ZnAs2. Неорган. материалы, т. 38, в. 8, с. 937-939 (2002).
• Kazanskii A.G., Mell H., Weiser G., Terukov E.I. Donor formation in plasma-deposited amorphous silicon (a-Si:H) by erbium incorporation. J. Non-Cryst. Solids, v. 299-302, p. 704-708 (2002).
• Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Влияние уровня легирования на фотопроводимость пленок микрокристаллического гидрированного кремния. Физ. и техн. полупроводн., т. 36, в. 1, с. 41-44 (2002).
• Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Влияние подсветки на изотермическую релаксацию фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, слабо легированных бором. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия. в. 3, с. 67-70 (2002).
• Абрамов В.С., Агафонов Д.Р. Рыжиков И.В., Сощин Н.П., Шишов А.В., Щербаков Н.В., Юнович А.Э. Белые светодиоды. Светодиоды и лазеры, в. 1/2, с. 25-29 (2002).
• Туркин А.Н., Юнович А.Э. Анализ механизмов рекомбинации в светодиодах на основе нитрида галлия. Светодиоды и лазеры, в. 1/2, с. 84-87 (2002).
• Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Аливов Я.И., Ходос И.И. Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/?-Al2O3, полученных методом химического транспорта. Физ. и техн. полупроводн., т. 36, в. 9, с. 1052-1055 (2002).
• Чукичев М.В., Аливов Я.И., Колониус С.Д. Катодолюминесценция поликристаллических пленок ZnO, полученных окислением металлических слоев Zn. Поверхность, в. 5, с. 91-94 (2002).
• Chukichev M.V., Alivov Ya.I. Polycrystalline ZnO films and quantum confinement effects in them. Physics of Low Dimensional Structures, v. 3/4, p. 37-39 (2002).

Тезисы докладов на конференциях

• Dneprovskii V.S., Shaligina O.A., Zhukov E.A., Evtikhiev V.P., Kochereshko V.P. Time-resolved Luminescence of Self-Assembled CdSe/ZnSe Quantum Dots. Pros. 10th Int. Symposium "Nanostructures: physics and technology". St.Petersburg, Russia, p. 287-289 (2002).
• Shaligina O.A., Zhukov E.A., Lyaskovskii V.L. Laser Spectroscopy of Semiconductor (CdSe) Quantum Wires and Quantum Dots. Book of Abstracts of International Conference for Young Scientists and Engineers (IQEC/LAT-YS), Moscow, Russia, June 22-27, p.53 (2002).
• Белогорохов А.И., Гаврилов С.А., Белогорохова Л.И. Синтез, оптические свойства, ограниченные и смешанные моды решеточных колебаний нанокристаллитов CdS, синтезированных в пористом Al2O3, Тезисы доклада на X Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, ИК РАН, с. 560 (2002).
• Zvyagin I.P. Conduction in nanocomposites: hopping on a fractal. 10th International Symposium "Nanostructurs: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June 19-23. Ed.Zh.Alferov and L.Esaki. ФТИ им. А.Ф.Иоффе, p.550-553 (2002).
• Zvyagin I.P. Hopping conduction in arrays of self-organized quantum dots. In:International Quantum Electronics Conference IQEC/LAT 2002, Abstracts, p.390 (2002).
• Борисов К.Е., Звягин И.П. К теории вертикального прыжкового переноса с участием фононов и примесей в неупорядоченных сверхрешетках. Четвертая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тез. докл. Изд. СПбГТУ, с. 89 (2002).
• Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A. Direct determination of the shape of potential well for off-center Ge atom in GeTe-SnTe solid solution by EXAFS technique. 7th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity. St. Petersburg, June 2002, Abstract book, p. 29.
• Козлова Ю.П., Боулес Т.Дж., Вербитская Е.М., Веретенкин Е.П., Гаврин В.Н., Еремин В.К., Кошелев О.Г., Марков А.В., Морозова В.А., Поляков А.Я. Изучение глубоких уровней в нелегированном ПИ GaAs посредством измерения спектров оптического поглощения и фотопроводимости. 8-ая Российская конференция "GaAs-2002" Томск, 1-4 октября. Тезисы докл. с. 75-77.
• Маренкин С.Ф., Морозова В.А., Михайлов С.Г., Вольфкович А.Ю.,Маркушин П.В. А65. Новые полупроводниковые материалы для оптических деталей ИК-техники. 17 Международная научно-техническая конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 27-31 мая 2002, Москва, НПО "Орион". с. 130.
• Kozlova J.P., Bowles T.J., Eremin V.K., Gavrin V.N., Koshelev O.G., Markov A.V., Morozova V.A., Polyakov A.J., Verbitskaya E.M., Veretenkin E.P. A comparative study of EL2 and other deep centers in undoped SI GaAs using optical absorption spectra and photoconductivity measurements. New Developments in Radiation Detectors. 9th European Symposium on Semiconductor Detectors. Schoss Elmau, June 23-27 (2002).
• Казанский А.Г. , Мелл Х., Форш П.А. Фотоиндуцированные изменения проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием. Сборник трудов III Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2002), с. 19.
• Казанский А.Г., Мелл Х., Форш П.А. Влияние термического отжига на оптические и фотоэлектрические свойства пленок микрокристаллического гидрированного кремния. Сборник трудов III Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2002), с. 126.
• Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. О влиянии светового излучения на изотермический отжиг метастабильных состояний в легированных пленках a-Si:H. Сборник трудов III Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2002), с. 27.
• Yunovich A.E., Mamakin S.S., Manyakhin F.I., Gardner N., Goetz W., Misra M., Stockman S. Electrical properties and luminescence spectra of light-emitting diodes with modulated doped InGaN/GaN quantum wells. MRS Spring Meeting 2002, San Francisco, Apr. 2002, Abstr. K2.4.
• Yunovich A.E., Kudryashov V.E., Turkin A.N., Leroux M., Dalmasso S. Tunnel effects in luminescence spectra of GaN-based heterostructures. 26 Workshop on Comp. Semiconductor devices held in Europe, Chernogolovka, May 22, 2002. Paper II.13.
• Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Межд. Конф. "Оптика, Оптоэлектроника и Технология" (Ульяновск, июнь 2002). Тез. докл., с. 60.
• Юнович А.Э. Проблемы исследований и разработок полупроводниковых светодиодов как основы светотехники будущего. 1-я Украiнська конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв, УНКФН-1, Украiна, Одеса, 10-14 вересня 2002 р., Тези доповiдей, с. 49.
• Обыдена С.С. Влияние пьезоэлектрических полей на электролюминесценцию гетероструктур типа InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами. 4-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и нано- электронике (С.-Петербург, декабрь 2002), Тез. докл., с. 74.
• Обыдена С.С. Электролюминесценция гетероструктур типа InGaN/GaN с модулированно- легированными квантовыми ямами. Международная Конференция студентов и аспирантов "Ломоносов-2002", апрель 2002, Москва, МГУ им. М.В.Ломоносова, Тез. докл., с. 193.
• Yunovich A.E., Mamakin S.S., Manyakhin F.I., Gardner N., Goetz W., Misra M., Stockman S. Electrical properties and luminescence spectra of light-emitting diodes with modulated doped InGaN/GaN quantum wells. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002, Vol. 711, K2.4, р. 71-75.
• Alivov Ya.I., Ataev B.M., Chukichev M.V., Mamedov V.V., Zinenko V.I., Agafonov Yu.A., Pustovit A.N. The Properties of ZnO:Ga Films Implanted With N+ Ions. 2nd International Workshop on Zinc Oxide, Dayton, USA, October 23-25 (2002).
• Alivov Ya.I, Ataev B.M., Chukichev M.V., Mamedov V.V., Zinenko V.I., Pustovit A.N. Conduction Type Inversion in ZnO:Ga Films Implanted With N+. The 8th International Conference on Electronic Materials Xi'an, China, June 10-14 (2002).
• Аливов Я.И., Чукичев М.В., Атаев Б.М. Рекомбинационное излучение высокосовершенных пленок ZnO при больших плотностях неравновесных носителей. Международная конференция "Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах", 11-14 сентября, Махачкала, Россия (2002).
• Alivov Ya.I., Ataev B.M., Chukichev M.V., Mamedov V.V., Zinenko V.I., Agafonov Yu.A., Pustovit A.N. P-type ZnO Films Obtained by N+ Implantation of ZnO:Ga Films. International Conference "Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia" September 10- 13, Moscow, Russia (2002).
• Исаков Д.В., Чукичев М.В. Катодолюминесценция пленок алмаза, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы. Четвертая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. Издательство СПбГПУ. Тез. докл., с. 25 (2002).

Учебники, учебные пособия

• И.А. Случинская. Основы материаловедения и технологии полупроводников. М., МИФИ, 2002.
• А.И. Лебедев, И.А. Случинская. Применение XAFS-спектроскопии в материаловедении. В сб.: "Методы исследования структуры и субструктуры материалов" (учебное пособие под ред. В.М. Иевлева), Воронеж, 2001, с. 180-246.