Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/list00.html
Дата изменения: Fri May 14 14:56:45 2010
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:18:15 2012
Кодировка: koi8-r
Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2000 год
Статьи
В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Н.Ю. Маркова, Е.А. Муляров, К.А. Черноуцан,
О.А. Шалыгина. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник
(InP) - диэлектрик. Физ. тверд. тела, т. 42, в. 3, с. 532-536 (2000).
E.A. Muljarov, E.A. Zhukov, V.S. Dneprovskii, Y. Masumoto.
Dielectrically enhanced excitons in semiconductor-insulator quantum wires:
theory and experiment. Phys. Rev. B, v. 62, N 11, p. 7420-7432 (2000).
E.A. Zhukov, H.M. Yates, M.E. Pemble, C.M. Sotomayor Torres, S.G. Romanov.
Interface Interactions and The Photoluminescence From Asbestos-Templated
InP Quantum Wires. Superlattices and Microdevices, v. 27, N 5/6, p. 571-576
(2000).
K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, O. Shaligina, E. Zhukov. Time-Resolved
Luminescence of Porous Si and InP. Phys. Status Solidi A, v. 182, N 1, p. 347-352
(2000).
I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Vertical hopping transport in doped intentionally
disordered superlattices. Phys. Status Solidi B, v. 218, N 1, p. 107-111 (2000).
S.V. Demishev, A.A. Pronin, M.V. Kondrin, N.E. Sluchanko, N.A. Samarin,
T.V. Ischenko, G. Biskupski, I.P. Zvyagin. Hopping Transport in Bulk
Amorphous Gallium Antimonide. Phys. Status Solidi B, v. 218, N 1, p. 67-71 (2000).
P. Thomas, I.P. Zvyagin. Radiation related to electrically driven
oscillations in doped double quantum well structures. Phys. Status Solidi B,
v. 218, N 2, p. 449-453 (2000).
I.P. Zvyagin, M.A. Ormont, K.E. Borisov. Hopping transport equation for
electrons in superlattices with vertical disorder. Nanotechnology, v. 11,
N 4, р. 375 (2000).
A.I. Lebedev, A.V. Michurin, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro.
EXAFS and electrical studies of new narrow-gap semiconductors: InTeSe and
InGaTe. J. Phys. Chem. Sol., v. 61, N 12, p. 2007-2012 (2000).
А.И. Лебедев, А.В. Мичурин, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро.
Структура и электрические свойства твердых растворов InTeSe, InGaTe и
InTlTe. Кристаллография, т. 45, в. 4, с. 611-616 (2000).
О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Компенсационные методы определения времени
жизни неосновных носителей заряда в P-N структурах. Инженерная физика,
в. 2, с. 30-35 (2000).
В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев. Об определении параметров
зонной структуры ZnAs2. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия, в. 2,
с. 49-52 (2000).
О.Г. Кошелев. Об аномалиях времени релаксации фотопроводимости, связанных
с неоднородностями зондирующего СВЧ поля в полупроводниковых пластинах.
Изв. РАН, т. 64, в. 12, с. 2449-2452 (2000).
О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Устройство для бесконтактного определения
времени жизни неосновных носителей заряда в пластинах кремния с P-N
переходами. Заводская лаборатория, т. 66, в. 10, с. 34 (2000).
О.Г. Кошелев. СВЧ способ определения скорости рекомбинации неравновесных
носителей заряда в объеме и на поверхности легированных пластин кремния.
Заводская лаборатория, т. 66, в. 10, с. 29 (2000).
S.F. Marenkin, V.A. Morozova. Zinc and Cadmium Diarsenides Single
Crystals and Films: Synthesis and Physicochemical Properties. Russian
Journal of Inorganic Chemistry, v. 45, Suppl. 1, p. S80-S103 (2000).
А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. Поглощение и
фотопроводимость в компенсированном бором ?с-Si:H. Физ. и техн. полупроводн.,
т. 34, в. 3, с. 373-376 (2000).
Е.И. Теруков, М.И. Казанин, О.С. Коньков, В.Х. Кудоярова, К.В. Коугия,
А.Г. Казанский, С.В. Никулин. Влияние эрбия на электрические и
фотоэлектрические свойства a-Si:H, полученного высокочастотным разложением
силана. Физ. и техн. полупроводн., т. 34, в. 7, с. 861-864 (2000).
А.Г. Казанский, С.Н. Козлов, Х. Мелл, П.А. Форш. Влияние освещения на
электрические и фотоэлектрические параметры ?с-Si:H, слабо-легированного
бором. Письма в ЖТФ, т. 26, в. 10, с. 17-21 (2000).
И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт. Особенности релаксации
термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках
a-Si:H(P). Физ. и техн. полупроводн., т. 34, в. 3, с. 364-367 (2000).
С.К. Обыден, Г.В. Сапарин, П.Г. Иванников, М.В. Чукичев, А.Н. Туркин,
А.Э. Юнович, M. Leroux, S. Dalmasso, B. Beaumont, P. de Mierry. Исследование
дефектов в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN методами катодолюминесценции
и растровой электронной микроскопии. Материалы электронной техники,
в. 4, с. 29-35 (2000).
S.K. Obyden, G.V. Saparin, P.G. Ivannikov, A.E. Yunovich, M. Leroux,
S. Dalmasso, B. Beaumont. Application of composite contrast SEM-Mode to
the study of defects in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures. Scanning, v. 22,
N 2, p. 126-127 (2000).
Г.А. Александрова, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. Сравнительное
исследование люминесцентных свойств эпитаксиальных структур на основе
широкозонных твердых растворов InGaN и InGaP. Материалы электронной
техники, в. 2, с. 64-68 (2000).
Г.А. Александрова, О.Н. Ермаков, М.В. Чукичев. Влияние
физико-технологических факторов на краевую УФ-люминесценцию нитрида
галлия. Материалы электронной техники, в. 3, с. 64-69 (2000).
И.Н. Один, М.В. Чукичев, М.Э. Рубина. Люминесцентные свойства
монокристаллов селенида кадмия, легированных сурьмой (висмутом). Изв. РАН.
Неорган. материалы, т. 36, в. 3, с. 298-301 (2000).
И.Н. Один, М.В. Чукичев. Физикохимический анализ систем Cd-Sb(Bi)-S
и свойства фоточувствительных твердых растворов на основе сульфидных
соединений кадмия. Журнал неорган. химии, т. 45, в. 2, с. 255-260 (2000).
Тезисы докладов на конференциях
K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, S. Romanov, O. Shaligina, E. Zhukov.
Optical properties of semiconductor (InP) - dielectric quantum wires.
Proс. Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology" (St.Petersburg,
Russia, 2000), p. 383-386.
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, Y. Masumoto, T. Matsumoto,
E.A. Zhukov. The effect of deuterium on the optical properties of free
standing porous silicon layers. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: physics
and technology" (St.Petersburg, Russia, 2000), p. 460-463.
K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, V. Gusev, A. Syrnicov, O. Shaligina,
E. Zhukov. Linear and Nonlinear Optical Properties of Excitons in
Semiconductor - Dielectric Quantum Wires. Abstracts of the Sixth Int.
Workshop on NOEKS (Marburg, Germany, 2000), M65.
K. Chernoutsan, V. Dneprovskii, O. Shaligina, E. Zhukov. Time-Resolved
Luminescence of Porous Si and InP. Extended Abstracts of the Second Int.
Conf. "Porous semiconductors - science and technology" (Madrid, Spain,
2000), p. 168-169.
E. Zhukov, Y. Masumoto, V. Dneprovskii, E. Muljarov, K. Chernoutsan,
S. Romanov. Excitons in InP quantum wires with dielectric barriers.
Abstracts of ICPS-25 (Osaka, Japan, 2000), Part I, p. 211.
S.A. Gavrilov, S.Yu. Tikhonova, S.V. Lemeshko, E.A. Zhukov,
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. Principles of CdS nanowire array
formation by electrodeposition into porous anodic alumina. Abstracts of
ICPS-25 (Osaka, Japan, 2000), Part II, p. 627.
I.P. Zvyagin, M.A. Ormont, K.E. Borisov. Hopping transport equation
for electrons in superlattices with vertical disorder. 8th Int. Symp.
"Nanostructurs: Physics and Technology" (St.Petersburg, Russia, June 19-23,
2000). Ed. Zh. Alferov and L. Esaki. Ioffe Institute, St.Petersburg,
p. 516-519 (2000).
A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, I.H. Munro. EXAFS study of the local
structure of PbSnS solid solution. Int. Conf. "Current Status of Synchrotron
Radiation in the World" (Moscow, 2000). Abstracts, p. 96.
A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, I.H. Munro. EXAFS study of PbS-SnS
solid solution. The 11th Int. Conf. on X-ray Absorption Fine Structure
(Ako, Japan, 2000), Abstract book, abstract P3-066 (2000).
О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Компенсационные методы определения времени
жизни неосновных носителей заряда в P-N структурах. Научная сессия МИФИ-2000
(17-21 января 2000 г., Москва).
О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Определение распределения проводимости и
фотопроводимости по толщине высокоомных полупроводниковых пластин.
Научная сессия МИФИ-2000 (17-21 января 2000 г., Москва).
О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Устройство для бесконтактного определения
времени жизни неосновных носителей заряда в пластинах кремния с P-N
переходами. Вторая Российская конф. по материаловедению и физико-химическим
основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000,
Москва, МИСиС, февраль 2000), с. 399-400.
О.Г. Кошелев. СВЧ способ определения скорости рекомбинации неравновесных
носителей заряда в объеме и на поверхности легированных пластин кремния.
Вторая Российская конф. по материаловедению и физико-химическим основам
технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000,
Москва, МИСиС, февраль 2000), с. 398.
О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Способ определения слоевой неоднородности
фотопроводимости в высокоомных полупроводниковых пластинах.
Вторая Российская конф. по материаловедению и физико-химическим основам
технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000,
Москва, МИСиС, февраль 2000), с. 401.
О.Г. Кошелев. Об аномалиях времени релаксации фотопроводимости, связанных
с неоднородностями зондирующего СВЧ поля в полупроводниковых пластинах.
Труды VII Всероссийской школы-семинара "Волновые явления в неоднородных
средах" (Красновидово, май 2000), т. 2, с. 39-40.
V.N. Gavrin, Y.P. Kozlova, E.P. Veretenkin, T.J. Bowles, V.K. Eremin,
E.M. Verbitskaya, A.V. Markov, A.Y. Polyakov, O.G. Koshelev, V.A. Morozova.
Bulk GaAs as a Solar Neutrino Detector. 2nd Int. Workshop on Radiation
Imaging Detectors. (Freiburg i. Br. Germany, July 2-6, 2000), p. 33.
И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. Метастабильные
состояния в аморфном гидрированном кремнии. II Междунар. конф. "Фундаментальные
проблемы физики" (Саратов, 2000). Материалы конференции, с. 85-86.
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, А.Л. Громадин. Особенности эффекта
Стеблера-Вронского в высокоомных слоях a-Si:H, слабо легированных бором.
Вторая Российская конф. по материаловедению и физико-химическим основам
технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000,
Москва, МИСиС, февраль 2000). Тез. докл., с. 255-256.
В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, С.Д. Якубович. Спектры
вынужденного и когерентного излучения инжекционных лазеров на основе
нитрида галлия. Тез. докл. Междунар. конф. "Оптика полупроводников"
(Ульяновск, июнь 2000), с. 9.
С.К. Обыден, Г.В. Сапарин, П.Г. Иванников, М.В. Чукичев, А.Н. Туркин,
А.Э. Юнович, M. Leroux, S. Dalmasso, B. Beaumont. Исследование дефектов в
гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN методами катодолюминесценции и растровой
электронной микроскопии. Тез. докл. Междунар. конф. "Оптика полупроводников"
(Ульяновск, июнь 2000), с. 61-62.
F.I. Manyakhin, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.E. Yunovich.
Change of charge centers distribution in AlGaN/InGaN/GaN heterostructures with
multiple quantum wells during LED's aging at high currents. The Fourth
European GaN Workshop (Nottingham, 2000), abstract 2D.
S.K. Obyden, G.V. Saparin, P.G. Ivannikov, M.V. Chukichev, A.N. Turkin,
A.E. Yunovich, M. Leroux, S. Dalmasso, B. Beaumont. Cathodoluminescence and
scanning electron microscopy studies of defects in InGaN/AlGaN/GaN
heterostructures. The Fourth European GaN Workshop (Nottingham, 2000),
abstract 8D.
V.E. Kudryashov, A.E. Yunovich. Radiative recombination mechanisms in
InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum wells. The Fourth European
GaN Workshop (Nottingham, 2000), abstract P38.
В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, С.Д. Якубович. Спектры
вынужденного и когерентного излучения инжекционных лазеров на основе
нитрида галлия. Тез. докл. 4-го Всероссийского совещания "Нитриды
галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Санкт-Петербург,
сентябрь 2000), с. 96-97.
В.Е. Кудряшов, А.Э. Юнович. Анализ механизмов рекомбинации в
гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. Тез. докл. 4-го
Всероссийского совещания "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и
приборы" (Санкт-Петербург, сентябрь 2000), с. 99-101.
С.К. Обыден, Г.В. Сапарин, П.В. Иванников, А.Э. Юнович, M. Leroux,
S. Dalmasso, G. Beamont. Исследование гетероэпитаксиальных структур
InGaN/AlGaN/GaN в режиме композитного контраста в РЭМ. XVIII Российская
конф. по электронной микроскопии (Черноголовка, май 2000), тез. докл.,
с. 130-131.
А.Н. Туркин, М.В. Чукичев. Спектры катодолюминесценции гетероструктур
InGaAl/AlGaN/GaN. Тез. докл. 4-го Всероссийского Совещания "Нитриды
галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Санкт-Петербург, сентябрь
2000), с. 35-36.
М.В. Чукичев, И.Н. Один, Йонг-Вон Сонг. Люминесцентные свойства
монокристаллов твердых растворов системы AgBr-AgCl - материалов ИК техники.
Тез. докл. XI конференции высокочистых веществ (Нижний Новгород, 15-18
мая 2000 г.), с. 286-287.
А.Э. Юнович. Ключ к синему лучу, или о светодиодах и лазерах, голубых и
зеленых. В сб.: "Российская наука: Грани творчества на грани веков". Изд.
"Научный мир", с. 94-99 (2000).