д.ф.-м.н., в.н.с.,  профессор Рябова Людмила Ивановна

e-mail: mila@mig.phys.msu.ru
телефон: 939-11-51

Направление научных исследований:
Исследование гальваномагнитных, фотоэлектрических и оптических свойств полупроводников и наноструктур на их основе.

Педагогическая нагрузка:

• Спецкурс "Физика твердого тела"
• Спецкурс "Элементы статистической физики"

Организационная работа:

• Член Специализированного Совета Д 501.002.05

Последние публикации:

• К.А.Дроздов, И.Н.Крылов, А.А.Ирхина, Р.Б.Васильев, М.Н.Румянцева, А.М.Гаськов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства пленок In2O3. ФТП 48, 467-470 (2014).
• R.B.Vasiliev, A.V.Babynina, O.A.Maslova, M.N.Rumyantseva, L.I.Ryabova, A.A.Dobrovolsky, K.A.Drozdov, D.R.Khokhlov, A.M.Abakumov, and A.M.Gaskov. Photoconductivity of nanocrystalline SnO2 sensitized with colloidal CdSe quantum dots. Journal of Materials Chemistry C 1, 1005-1010 (2013).
• Л.И.Рябова, Д.Р. Хохлов. Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb1-xSnxTe(In) с помощью лазерного терагерцового излучения. Письма в ЖЭТФ 97, 825-831 (2013).
• Л.И.Рябова, А.В. Никорич, С.Н. Данилов, Д.Р. Хохлов. Влияние электрического тока и магнитного поля на терагерцовую фотопроводимость в Pb1-xSnxTe(In). Письма в ЖЭТФ 97, 607-610 (2013).
• K.A.Drozdov, V.I.Kochnev, A.A.Dobrovolsky, A.V.Popelo, M.N.Runyantseva, A.M.Gaskov, L.I.Ryabova, D.R.Khokhlov, R.B.Vasiliev. Photoconductivity of structures based on the SnO2 porous matrix coupled with core-shell CdSe/CdS quantum dots. Appl.Phys.Lett. 103, 133115 (2013).
• А.И.Артамкин, А.А.Добровольский, А.А.Винокуров, В.П.Зломанов, С.Н.Данилов, В.В.Бельков, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне. ФТП 47, 293-297 (2013).
• V. Chernichkin, A. Dobrovolsky, V. Kasiyan, A. Nicorici, S. Danilov, L. Ryabova, Z. Dashevsky, and D. Khokhlov. Observation of local electron states linked to the quasiFermi level. EPL. 100, 17008 (2012).
• V.I.Chernichkin, L.I.Ryabova, A.V.Nicorici, D.R.Khokhlov. Monopolar photoelectromagnetic effect in Pb1-xSnxTe(In) under terahertz laser radiation. Semicond.Sci. Technol. 27 (2012) 035011.
• Фотопроводимость пленок PbTe(In) с варьируемой микроструктурой. В.И.Черничкин, А.А.Добровольский, З.М.Дашевский, В.А.Касиян, В.В.Бельков, С.Д.Ганичев, С.Н.Данилов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. ФТП 45, 1533 (2011).
• Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца. А.И.Артамкин, А.А.Добровольский, А.А.Винокуров, В.П.Зломанов, С.Ю.Гаврилкин, О.М.Иваненко, К.В.Мицен, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. ФТП 44, 1591 (2010).
•  Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb_1-xSn_xTe(In) в терагерцовой спектральной области. А.В.Галеева, Л.И.Рябова, А.В.Никорич, С.Д.Ганичев, С.Н.Данилов, В.В.Бельков, Д.Р.Хохлов. Письма в ЖЭТФ 91, 37 (2010).
• Transport properties and photoconductivity of nanocrystalline PbTe(In) films. A.Dobrovolsky, V.Chernichkin, I.Belogorokhov, Z.Dashevsky, V.Kasiyan, L.Ryabova, D.Khokhlov. Phys. Status Solidi C 7, 869 (2010).
• Optical and photoelectric properties of nanocrystalline SnO₂-CdSe quantum dot structures. A.Dobrovolsky, R.Vasiliev, K.Drozdov, O.Maslova, M.Rumyantseva, A.Gaskov, L.Ryabova, D.Khokhlov. Phys. Status Solidi C 7, 972 (2010)
•  Влияние окисления на проводимость нанокристаллических пленок PbTe(In) в переменном электрическом поле. А.А.Добровольский, Т.А.Комиссарова, З.М.Дашевский, В.А.Касиян, Б.А.Акимов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. ФТП 43, 265 (2009).
• Проводимость ультрадисперсной керамики SnO₂ в сильных электрических полях. Р.Б.Васильев, М.Н.Румянцева, Л.И.Рябова, А.М.Гаськов. ФТП 43, 167 (2009).
• Photoconductivity of oxidized nanostructured PbTe(In) films. A.A.Dobrovolsky, Z.M.Dashevsky, V.A.Kasiyan, L.I.Ryabova, D.R.Khokhlov. Semicond. Sci. Technol. 24 (2009) 075010.
• Влияние окисления на проводимость нанокристаллических пленок PbTe(In) в переменном электрическом поле. А.А.Добровольский, Т.А.Комиссарова, З.М.Дашевский, В.А.Касиян, Б.А.Акимов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. ФТП, 43, 265 (2009).
• Low-temperature charge transport in photosensitive nanocrystalline PbTe(In) films. A.Dobrovolsky, Z.Dashevsky, V.Kasiyan, L.Ryabova, D.Khokhlov. Journal of Physics: Conference Series 150, 022009 (2009).
  
• Charge transport in photosensitive nanocrystalline PbTe(In) films in an alternating electric field. A. Dobrovolsky, T. Komissarova, B. Akimov, Z. Dashevsky, V. Kasiyan, D. Khokhlov, L. Ryabova. Int. J. Mat. Res. 100, 1252 (2009).
  
• Новый класс высокочувствительных приемников терагерцового излучения. Д.Р.Хохлов, А.В.Галеева, Д.Е.Долженко, Л.И.Рябова. Оптика и спектроскопия 107(4), 546 (2009).
• Deep impurity levels in vanadium-doped Pb_1-xMn_xTe solid solutions. A.A.Dobrovolsky, A.I.Artamkin, P.Dziawa, T.Story, E.I.Slyn'ko, V.E.Slyn'ko, L.I.Ryabova, D.R.Khokhlov. Semicond.Sci.Technol., 23 (2008) 055004.
  
• Terahertz photoconductivity of Pb_1-xSn_xTe(In). D.Khokhlov, L.Ryabova, A.Nicorici, V.Shklover, S.Ganichev, S.Danilov, V.Bel'kov. Appl.Phys.Letters 93, 264103 (2008).
  
• Deep impurity levels in vanadium-doped Pb_1-XMn_XTe solid solutions. A.A.Dobrovolsky, A.I.Artamkin, P.Dziawa, T.Story, E.I.Slyn'ko, V.E.Slyn'ko, L.I.Ryabova, D.R.Khokhlov. Semicond.Sci.Technol. 23 (2008) 055004 (6pp).
• Особенности электрофизических свойств твердых растворов In_xGa_1-xN. Т.А.Комиссарова, Н.Н.Матросов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов, В.Н.Жмерик, С.В.Иванов. ФТП, 41, в.5, с.558-560, 2007.
• Impedance of photosensitive nanocrystalline PbTe(In) films. T. Komissarova, D.Khokhlov, L.Ryabova, Z.Dashevsky and V.Kasiyan. Phys. Rev. B 75, 195326 (2007).
• Импеданс полупроводниковых клатратов Sn₂₄P_19.3Br_xI_8-x. А.В.Якимчук, Ю.В.Заикина, Л.Н.Решетова, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов, А.В.Шевельков. ФНТ, 33, N2/3 с.369-373 (2007).
• Фотопроводимость твердого раствора Pb_0.75Sn_0.25Te(In) в переменном электрическом поле. А.Е.Кожанов, А.В.Никорич, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов, А.В.Дмитриев, V.Shklover. ФТП 41, в.6, с.683-686, 2007.
• Ferroelectric phase transition and impurity-lattice correlations in Pb_1-XGe_XTe(Ga). B.A.Akimov, D.R.Khokhlov, V.V.Pryadun, L.I.Ryabova. Moldavian Journal of Physics, т.5, в.1, с.32-36. (2006).
• Проводимость твердых растворов Pb_1-xSn_xTe(In) в переменном электрическом поле. А.Е.Кожанов, А.В.Никорич, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. ФТП, 2006, т.40, в.9, 1047-1050.
• Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамики SnO₂ с варьируемым размером кристаллита. Р.Б.Васильев, С.Г.Дорофеев, М.Н.Румянцева, Л.И.Рябова, А.М.Гаськов. ФТП 40, N1, 108-111 (2006).
• Новый тип высокочувствительных приемников излучения терагерцового диапазона. Б.А.Акимов, Н.Б.Брандт, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Вестник Моск.ун-та. Серия 3. Физики.Астрономия. 2005. N 1, с.59-64.
• Новый тип материалов для высокофоточувствительных инфракрасных фотоприемников. Б.А.Акимов, Н.Б.Брандт, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Прикладная физика ? 2-2005, с.58-63.
• Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe(Ga). Б.А.Акимов, В.А.Богоявленский, В.А.Васильков, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. ФТТ, т.47, в.1, с.160-163 (2005).