|
Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://num-meth.srcc.msu.ru/zhurnal/tom_2001/art1_2.html
Дата изменения: Mon Dec 16 17:43:57 2002 Дата индексирования: Mon Oct 1 19:48:03 2012 Кодировка: Windows-1251 |
|
Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации
легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых
подложках Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Обрехт М.С. |
|
В работе рассматривается идеология приближенного моделирования сложного физико-химического процесса сегрегации легирующих примесей, имплантированных в базовый материал, при движении по нему волны окисления, а также реализующий эту идеологию компьютерный алгоритм. Приводятся примеры расчетов сегрегации бора, мышьяка, фосфора и сурьмы в кремнии на границе "кремний/двуокись кремния". |
|
Тарнавский Г.А., Шпак С.И. - Институт теоретической и прикладной механики СО РАН,
ул. Институтская, 4/1, 630007, Новосибирск;
e-mail: shpak@itam.nsc.ru Обрехт М.С. - Siborg Systems Ins., University of Waterloo, Depatment of Electrical and Computer Engineering, Waterloo, Ontario, Canada, N2L3G1; e-mail: obrecht@siborg.ca |