Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://danp.sinp.msu.ru/LIIWM/Shvey_Diplom.pdf
Дата изменения: Fri Dec 14 23:47:40 2007
Дата индексирования: Mon Oct 1 21:04:39 2012
Кодировка:

. M..

, -

: .. : ..-.., . .. : ..-.., . ..

2001

1. CoSi2 , CoSi2/Si () () - () 2 3 4 12 14 16 19 22 34 35 7 7 3 5 5 6 6

2

, (), , , . , , , , . (CoSi2) ( 15 *) . , , . , , Si/CoSi2/Si, , , , , «» . Si-CoSi2 , /, . - , , 1980-90- . , , ( ). ( ; ). ,
3

, , . . , , - . - , . Si/CoSi2/Si, . .

4

1. . (CoSi2) , (). CoSi
2

. , . CoSi2 () , , , , . (), . , , . , CoSi
2

1,22%. .

Si/CoSi2/Si

, , 0,5 . , , - . CoSi2, (15 .) ( 1100 ). - . CoSi2 , (), , ( ) . , --, .

5

. , - , , ( 1100 °) . , , : Si, . , , (=313 °), /(.) ,
-1

Si 1 0,54307 28,06 1685 1,4 2,44.10 -6

CoSi

2

0,6667 CaF2 0,5365 115,12 1600 15,1 9,4.10 15
-6

, .

, CoSi2/Si - () [1]. , . , [2]. / . , [3], , (111) . , , . , (111). , .. 90% (100). : , Si(100) , Si(111), -, Si(100) , Si(111) , -, - (.. ) Si(100). .
6

, (111), Si(100). , (100). Si (100) 1-3в1017 -2, 5 100 /2, 180 , 1150° 60 . (, , .) (). () . : 1. CoSi2 Si(100), . 2. Co Si , . 3. CoSi2 Si(100), . 4. . 5. Co Si . 6. / [3]. 7. () . () , . , ( 4He), [4]. , , , . , He ,
7

. , . , -, . ; . . M1 v E0 ), M
2

(E0

.

v1 v2 E1 E2 . M1 < M2 :
2 E1 ( M 2 - M12 sin2 )1 / 2 + M1 cos = M1 + M 2 E0 2

E1/E0, , , . , ,
2

, ,

, , 1 1. 2 ( M1 < M2) = 1800. = 1800 ( 1700 - ). . , 2 , 1 . , . , , , , , «». , , . ,
8

50 В 80 mA/V. , , , . . . . , , , . dE/dx (H+, d+ He++) (0.5-5 ) (.1). ; . ; , , .

S

0 t 1

dE ( E = E0 ) t dx E t = E 0 - E E s = (1 - K ) E t dE (E = E1 ) t E cos dx E

.1. , t, :
; s ; E . E1=E0 - E - Es - E.

, ,

4

He,

« ».
9

. , . , , - , . , : t, , E . N t Nt, , , : (1/N)dE/dx . , dE/dx 1 : E. .

2m v dE 2Z12e 4 M - = NZ 2 1 ln e dx E me I dE dE dx = 0 , dx

2

2 2 dE = , [ ] = Ndx = =

2

= M1v2/2, N , I ( 10Z2 ). : 1. 2. , , . . . . , , ,

, . , (n=NZ2) .

1

, , ,

10

. , , . RUMP ERD ( www.genplot.com). , , , t, . 1000 0.
dE/dx « »,

0 t :

dE E0 = t[ S 0 ] = t K | dx

E=E

0

+

1 dE | cos dx

E = KE

0

«0» . , , , , dE/dx , . (t) , 50000 3%. .2 . - CoSi2. ( ), . , .

. 2. .

11

RUMP ERD. .
()

. , . , . . () , . . . , , , . [5] , (RF ~ 0,1-0,2 0). , , r
min

< RF, , ,

, . , . :
1

1

=
2

2ZZ e Ed
1 2

2

2

Z1,2 - / , - , - , d , - , ( ~ 0,8-1,2). 1 10. , , , . , ,
12

, . , r :
min

F

, 95-98% ,

, . , . , RF , ( , ) . , . .3 (=1,7) 1600 .

6000

1 2

5000

4000

3000

1

2000

1000

2
0 0 50 100 150 200 250

.3. : 1
, 2 (100) .

. 2 . - . . 3 .4
13

. , , :

· · ·

() , . () , . , .

RADDAM, [6]. , .3, . [7].

6000

1 2 3

5000

4000

3000

2000

1000

0

0

50

100

150

200

250

.4. .
()

, , -. ( ) ( , ) , , .
14

, . :

· · ·

, ; , ; ( / ). ( / ).

, , . , - , . . , , , 10-7 %. . . . , . , - , , . m
1

1 m2 E2 , . , , . , 2 , , , 0.6 . - (m/z). -. , 1 % , , , , . , . . - .
15

1 . . , 2 .
2. .

n- 75 12. 59o+ -4,5 (100) SCI 218 "BALZERS" . 180 , 1в1016; (1; 2; 3)в1017-2 5; 15; 30; 80 /2. 7° . , 45° . . , . - . . -220-1000 1 , , . ( ). 30-100 100-700 °. , .

.5.
16

+

1.0-2.2

(1), (2,3), , (11). 0,5-1 . , , , (4). , , - (6). , ,

, , , , , , . . , ( ), . , , . 1%. , (11), (6). . , , , ' , , , -, , . (11) (10). , , . (6) , , . , , , , 0,020, , , - 0,1. 0,020. - (8) (9). .
17

(5) 10-6 . . , . - . 120 . , 2N5434 . ( 80) ( 0,1 ) 17 . 2 . : 1. RUMP-ERD (www.genplot.com) . 2. DVBS ( ). 3. RADDAM . 4. MATHCAD 2000 .

18

3.

( ), , . , , .

8000 7000 6000 5000

1*10 / 17 2 2*10 / 17 2 3*10 /

17

2

4000 3000 2000 1000 0

0

50

100

150

200

250

. 6. . .6, . , , ( ) . .7 <100> 180 , 2*1017 5 /2. , <100>. 1000 0 30 . , . , 80% <100>. ,

19

.
17

4000

1 D=2*10 , j=5

2 D=2*10 , j=5 , 1000
4000

17

0

3000

3000

2000

2000

1000

1000

0

0

100

200

300

400

0

0

100

200

300

400

.7. <100> 180 , 2*1017 /2 5 /2 . .8 15 , .9 - 30 . .
17
17 0

4000

3 D=2*10 , j=15

4000

4 D=2*10 , j=15 , 1000

3000

3000

2000

2000

1000

1000

0

0

0

100

200

300

400

0

100

200

300

400

.8. <100> 180 , 2*1017 /2 15 /2 .

20

5 D=2*10 , j=30
4000

17

6 D=2*10 , j=30 , 1000
4000

17

0

3000

3000

2000

0 100 200 300 400

2000

1000

1000

0

0

0

100

200

300

400

.9. <100> 180 , 2*1017 /2 30 /2 , 7 - 9 , . , . .7. , , , <100>, ( - , - ). - . , , SiO2. :

(Si), %
1в1017 cm-2, 180 keV

(Co), %

15 mcA/cm2 15 mcA/cm2, 900 °, 30 min 5 mcA/cm2 5 mcA/cm2, 1000 °, 30 min 15 mcA/cm2 15 mcA/cm2, 1000 °, 30 min 30 mcA/cm2 30 mcA/cm2, 1000 °, 30 min

71 42

77 18

2в1017 cm-2, 180 keV 88 29 82 9 90 26 80 8 64 4 77 13

21

4.

, , RUMP ERD DVBS. ( ) . GENPLOT 15 , , . [8].

100

1

, %

80

60

20

0

0

50

100

150

200

,

.10. 1 (=180 , 2*1017 /2 , 5 /2)
RUMP ERD

.10 RUMP ERD. , , 110 , . , , CoSi2. , .11, 30 , , . , 1000 .

. ,

22

5,6
100

, %

80

60

40

20

0 0 50 100 150 200

,

.11. 5 (=180 , 2*1017 /2 , 30 /2)
6 (=180 , 2*1017 /2 , 30 /2 , 1000 30 ) RUMP ERD .

TRIM + 180 11017, 21017 31017 /2. , . .12.

23

.12.

( TRIM).

.

24

3x 1 0 , / .
3

22

D = 1x 10 . 2x 1 0
22

17

-2

1x 1 0

22

0 0 100 200 300 , 400 500

22 3x 1 0 3 2x 1 022 22 1x 1 0 , / 0 0 1 00 20 0 , 300

D= 2 x 1 0 .

17

-2

40 0

3x10 , / .
3

22

D= 3x1 0 .
22

17

-2

2x10

1x10

22

0 0 1 00 200 3 00 , 400 500

.13.

( ).

- 11017, 21017 31017 /2,- . .13. -
25

, , . , . (=180 , j=15 /2). , /2 11017 21017 31017 , 7.5-12.5 15-20 70-80

, 11017 /2 21017 /2 7.5-20 . 70-80, 31017 /2, , . , , , , . 11017, 21017 31017 /2 180 . 10 11017 /2, 18 21017 /2 75 31017 /
2

,

. 1. .14, . , /2 11017 21017 31017 124 118 78 Rp,

26

, , , . 11017 21017 /2 . 11017 /2 , 8 . % 120 . 31017 /2.

. 14.

( TRIM ). 27

, , . 3.1017-2, , , , -, 33 %, CoSi2. CoSi2 90 . , , . , . , . ( 180 , 13 /2) 21017 /2. . , : 1. ( ); 2. , - ; 3. . . CoSi2 (CoSi2=4,95 /3>Si=2,33 /3 , , (Rp). , , . , . , , , . CoSi2 ( , , ; ). 600 CoSi
2

.

, Si(100),
28

600 CoSi2, . 600 (Co2Si, CoSi, CoSi2). 600 . (600 60 ) (.15.). 1в1017-2 , 15 %, 110 . 3в1017 -2 (.16.) -, , CoSi2 - 33 %. CoSi2 . (1000 30 ) 1в1017 -2 3в1017 -2 . 1в1017 -2 (20 %) (80 ). .. 3в1017 -2 , 33 %.

2x10

22

, / .

3

1x10

22

2

3

1
0 0 100 200 300 400

,

1 - ; 2 - =600/60 ; 3 - = 600/60 + 1000/30 .

.15. (D = 1в1017-2, = 180 , j = 15 /2).

29

3x10

22

3 1 2

, / .

3

2x10

22

1x10

22

0 0 100

,

200

300

400

.16. (D = 3в1017-2, = 180 , j = 15 /2).
1 - ; 2 - =600/60 ; 3 - = 600/60 + 1000/30 .

, (.17.).

.17. " " 1000°C/30 (D=3в1017 -2, J=15
/2, E=180 ).

2в1017 -2 (.18.) - , CoSi2 33 %, CoSi2 . , CoSi2 -
30

115 10 (.17.). .

3x10

22

, / .

2
22

3

2x10

1x10

22

1

0 0 100

,

200

300

400

1 - ; 2 - =1000/30

.18. (D = 2в1017-2, = 180 , j = 15 /2).

. .15 .16 , . , . : , Co-Si. Si . , Co-Si, . -Si CoSi2. CoSi2 Si, . CoSi2, CoSi2, . , , CoSi2. . CoSi2
31

Si , Rp, . Rp . , . , , , , , . , . , . . . . , , . CoSi2 , , , . , , . , . . .19 . , . , / , . , , , .

32

5,00E+022

4,00E+022

/

3

3,00E+022

2,00E+022

1,00E+022

0,00E+000 0,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

,

.19. . / 1200 , 1700 2200 . . [7]. .20 .21. , Si/CoSi2 , CoSi2 c .

0,2

0,40 0,39

0,1

0,38 0,37

. .

0,0

. .

0,36 0,35 0,34

-0,1

0,33 0,32

-0,2

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

2,2

0,31

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

2,2

,

,

.20. .

.21. .

33

, (100), (111).
1.

,

- . , - . Si/CoSi2/Si(100) CoSi2 70 ( 16 ) .
2.

,

. CoSi2.
3.

,

- , , .
4.

,

, .
5.

Si/CoSi2/Si(100). CoSi2 c , . Si/CoSi2 .

34

[1] Mantl S. Compound formation by ion beam synthesis and a comparison with alternative methods such as deposition and growth or wafer bonding. // Nucl. Instrum. & Meth. B -1995. -V.106, №1-4. p.355-363. [2] Zentgraf A., Gartner K., Schippel S. and Gaiduk P.I. Influence of damage on the formation of CoSi2 by Co implantation.// Nucl.Instr. and Meth. B -1996. -V.114, №1-2. -p.46-55. [3] Satyam By.P.V., Sekar K., Kuri G., Sudaravel B., Mahapatra D.P. and Dev B.N. Defects in the ionbeam synthesized epitaxial Si/CoSi2/Si(111) system. // Philosophical Magazine Letters. 1996. - V.73, №6. -p.309-317. [4] . . 1. 1990. [5] J. Lindhard. Kgl. Dan. Vid. Selsk Mat.-Fys. Medd. 34, 14, 1965. [6] . . 1982 . [7] .. . . , . , 1987 . [8] RUMP ERD for Windows95/NT users manual guide.

35