Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://danp.sinp.msu.ru/pci2007/vecher_30_1.pdf Дата изменения: Tue May 8 00:34:42 2007 Дата индексирования: Mon Oct 1 21:24:16 2012 Кодировка:

In Sb, --
1)

. . 1), . . 2), . . 1), . . 1)

, , 630090, 2) , ,

-- () . In Sb, . Sb+ 100 of 8в1015 -2 . In+ 100 of 8в1015 -2 SiO2. Sb+ . , . =500-1100 30 . (RBS) He+ 1.7 (HREM). RBS, 500 900 Si/SiO2, SiO2. = 1100 . , <100>, , . HRTEM , SiO2, ~800-900o C. = 1100 InSb, 10-20 20-40 .

, InSb, Si.


.. 1), .. 1), .. 2), .. 2) . .., , . ,
1)

2)

, . (0,4-1в1017 -2) . (), () . , . , 450°. (.1). 275 . (.2), 5-

.1. 2+ (0,5в1017 -2) : ­ 200 ­ 75 450° 30

.2. 2+ (200 , 0,5в1017 -2) 450°: ­ 5 , ­ 30

, , . , (.2). , .


IV III , .. 1), .. 1), .. 2), .. 2), .. 2), .. 2) 1) .- , .-, 2) - . .. , .-, (radiation defect engineering) /1/. ( ) . n- p-, 2,5 . ( ) . n- V , - ( ­ V ). , . , n- , . ­ 70 . . , . ( 07-02-00096). 1. Kozlovski V., Abrosimova V. Radiation Defect Engineering. ­ World Scientific, 2005, 253 p.


GaAs p-n- .. 1), .. 2) 1) , . , 2) - , . , , . . p-n- . P-n- - 10-12 (1 - 2) 1016 3 . Pb+Zn. , p-n-. , . p-n - , - . p-n-, , . p-n, , 60 , p-n-, , 500 . P-n-, , . , p-n-. p-n-, , , , , .


, .. , .. , .. , .. , .. , .. - - . .. , . , , , () . , /1/. ( ), () 700-900 . () , , , (). , Si, . () . . , Si , . ( -) /1/ , .. Ne+ Si ­ Si , . , 1,5 . a-Si Si. , ( ). 1,5 Si, . 1. .., .., .. . // . .. . , 2004, .7, .17-27.