Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://phys.msu.ru/upload/iblock/1b5/1inf2008.doc Дата изменения: Mon Oct 13 13:02:38 2008 Дата индексирования: Mon Oct 1 20:45:46 2012 Кодировка: koi8-r

[pic]

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет




Санкт-Петербургский физико-технологический научно- образовательный центр
РАН


Физико-технический институт

им. А.Ф. Иоффе





Санкт-Петербургский государственный университет


ООО «Технологии. Внедрение. Наука»

Финансовая поддержка

Российский фонд фундаментальных исследований

Комитет по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга

Фонд некоммерческих программ «Династия»

ЗАО «Полупроводниковые приборы»

[pic]

Председатель:
Сурис Р.А., ФТИ им. А.Ф.Иоффе, С.-Петербург
Члены комитета:
Агекян В.Ф., СПбГУ, С.-Петербург
Воробьёв Л.Е., СПбГПУ, С.-Петербург
Глинский Г.Ф., СПбГЭТУ, С.-Петербург
Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск
Жуков А.Е., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,
С.-Петербург
Каган М.С., ИРЭ РАН, Москва
Коренев В.Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе,
С.-Петербург
Кочерешко В.П., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,
С.-Петербург
Красильник З.Ф., ИФМ РАН, Н.Новгород
Новиков Б.В., СПбГУ, С.-Петербург
Сибельдин Н.Н., ФИАН РАН, Москва
Сресели О.М., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,
С.-Петербург
Хохлов Д.Р., МГУ, Москва

[pic]

Председатель оргкомитета:
Воробьев Л.Е., СПбГПУ, С.-Петербург
Ученый секретарь:
Гаврикова Т.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Члены оргкомитета:
Васильева М.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Зыков В.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Ильин В.И., СПбГПУ, С.-Петербург
Каган М.С., ИРЭ РАН, Москва
Кочерешко В.П., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,
С.-Петербург
Красильник З.Ф., ИФМ РАН, Н.Новгород
Паневин В.Ю., СПбГПУ, С.-Петербург
Сибельдин Н.Н., ФИАН РАН, Москва
Сресели О.М., ФТИ им. А.Ф. Иоффе,
С.-Петербург
Фирсов Д.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Хохлов Д.Р., МГУ, Москва
Шалыгин В.А., СПбГПУ, С.-Петербург

[pic]

Десятая, юбилейная, конференция для молодых ученых посвящена таким
активно развивающимся направлениям физики твердого тела и электроники, как
физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковые нанотехнологии,
опто- и наноэлектроника. На конференции будут заслушаны доклады по
результатам как экспериментальных, так и теоретических исследований,
сгруппированные по следующим основным разделам:
. Объемные свойства полупроводников
. Процессы роста, поверхность, границы раздела
. Гетероструктуры, квантовые ямы, квантовые точки, нити, сверхрешетки и
другие низкоразмерные системы
. Дефекты и примеси
. Приборы наноэлектроники
. Оптоэлектронные приборы
. Новые материалы


[pic]


Конференция состоится в С.-Петербурге, в здании Санкт-Петербургского физико-
технологического научно- образовательного центра РАН (ул. Хлопина, д.8,
корп.3) в период с 1 по 5 декабря 2008 г. Информация о времени открытия
конференции будет сообщена дополнительно.

К участию в конференции приглашаются студенты всех российских ВУЗов и
аспиранты ВУЗов, институтов РАН и других организаций. Будут представлены
устные и стендовые доклады. Тезисы докладов будут опубликованы. Лучшие
доклады будут отмечены дипломами и премиями. Кроме того за лучшую работу в
области оптики полупроводников учреждена премия имени Е.Ф. Гросса. Лучшие
работы прикладного характера (имеющие инновационный потенциал) будут
рекомендованы для участия в конкурсе с номинацией "За научные результаты,
обладающие существенной новизной и перспективой их коммерциализации" с
последующим их финансированием Фондом содействия развитию малых форм
предприятий в научно-технической сфере.
Организационный взнос не предусмотрен.

[pic]

Тезисы докладов в электронном виде необходимо направить в
Оргкомитет в срок до
1 ноября 2008 г.
Тезисы докладов оформляются в формате WinWord, объем тезисов не должен
превышать 1 стр. Текст должен иметь следующие параметры: шрифт - Times New
Roman, размер шрифта - 12, межстрочный интервал - 1.3 (множитель), формат
бумаги А4 с полями: верхнее - 20 мм, нижнее - 25 мм, левое - 20 мм, правое
- 20 мм, формулы набирать, пользуясь Microsoft Equation 2.0-3.0. Если для
текста необходим рисунок, он выполняется в пределах поля для текста в
основном файле (по возможности, желательно без рисунков).
Текст располагается в текстовом поле следующим образом:
на первой строчке (в левом верхнем углу): УДК (вместе с цифрами печатать
прописными буквами);
на следующей строчке (выровнять вправо): инициалы, фамилия студента или
аспиранта строчными буквами, в скобках университет, курс, название кафедры
(можно использовать принятые сокращения); инициалы, фамилия, ученая
степень, должность и место работы руководителя (можно использовать принятые
сокращения), можно в две строки; фамилию докладчика подчеркнуть;
через пробельную строку (выровнять по центру): НАЗВАНИЕ ТЕЗИСОВ ДОКЛАДА
(прописными буквами);
через пробельную строку (с красной строки): текст тезисов.
Электронный вариант текста может быть направлен по e-mail или предоставлен
на дискете.
К тезисам докладов необходимо приложить справку об авторах, которая
должна содержать полные названия университета (института), факультета,
кафедры; фамилию, имя, отчество студента или аспиранта, а также
руководителя; телефоны, факсы и адреса электронной почты (e-mail) для
связи.
О решении Программного комитета авторы тезисов будут извещены по e-
mail.

[pic]

195251, С.-Петербург, Политехническая ул., 29
С.-Петербургский государственный
политехнический университет,
кафедра физики полупроводников
и наноэлектроники
II учебный корпус, комната 210


Тел. (812) 552-96-71


e-mail: conf2008@spbstu.ru

http://www.spbstu.ru/rphf/2008/conf2008.html

Деcятая всероссийская молодёжная конференция

по физике полупроводников
и наноструктур,
полупроводниковой

опто- и наноэлектронике


[pic]



Санкт-Петербург

1 - 5 декабря 2008 г.



http://www.spbstu.ru/rphf/2008/conf2008.html