1. Ковалевский В.Л., Савинов В.П. Экспериментальное обоснование модели физического механизма емкостного ВЧ - разряда низкого давления // Физика плазмы.Т.20.?3 (1994), с.322 - 334.
2. Рябый В.А., Савинов В.П., Спорыхин А.А., Якунин В.Г. Электрические пробои МОП - структур - важнейший фактор плазменной деградации микроэлектронных чипов // Микроэлектроника.Т.25.?2 (1996).С.127 - 134.
3. Александров А.Ф., Рухадзе А.А., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Электронный энергетический спектр приэлектродной плазмы асимметричного емкостного ВЧ разряда низкого давления // Письма в ЖТФ. Т.25.В.19 (1999).С.32 - 39.
4. Ковалевский В.Л., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Относительная плотность приэлектродных электронных пучков в плазме емкостного ВЧ разряда // Известия РАН, сер.физ., т.64, ?7 (2000), с.1363 - 1365.
5. Александров А.Ф., Рябый В.А., Савинов В.П., Якунин В.Г. Бесконтактный метод изучения параметров приэлектродной области ВЧ разряда // Физика плазмы.Т.28.?12 (2002), с.1086 - 1092.
6. Савинов В.П. Физические процессы в граничных областях емкостного высокочастотного разряда // Известия РАН, сер.физ., т.67, ?9 (2003), с.1232 - 1236.
7. Alexandrov A.F., Kralkina E.A., Pavlov V.B., Rukhadze A.A., Savinov V.P. The role of capacitive component in the low pressure RF inductive discharge. Proc. of the XXVIII ICPIG. Prague, Czech Republ. 2007, p.239.
8. Alexandrov A.F., Koh S.K., Kralkina E.A., Lee H.J., Savinov V.P., Timoshenko V.Yu. Photoluminescence from the nanosized Silicon particles fabricated by modified PVD - process . Book of Abstracts Intern.Conf. ' Micro - and nanoelectronics - 2007 '. Zvenigorod. 2007, p.03 - 25.