Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://scon155.phys.msu.su/publ/ku2001.html
Дата изменения: Fri Nov 8 20:12:40 2002
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:01:19 2012
Кодировка: koi8-r
Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига Работа опубликована в журнале Физика и техника полупроводников, т. 35, в. 3, с. 367-370 (2001).

Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига

И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских

Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность неотожженных пленок велика, отношение фотопроводимости к темновой проводимости достигает величины K=3.4 * 106. С увеличением температуры отжига происходит уменьшение фоточувствительности за счет значительного уменьшения фотопроводимости и увеличения темновой проводимости. Проводимость пленок, отожженных при температуре выше 500oC, определяется суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.

Другие работы по исследованию аморфных полупроводников