Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://scon155.phys.msu.su/publ/list06.html
Дата изменения: Sat Dec 4 19:07:54 2010
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:03:55 2012
Кодировка: koi8-r
Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2006 год
Статьи
Zhukov E.A., Yakovlev D.R., Bayer M., Karczewski G., Wojtowicz T.,
Kossut J. Spin coherence of two-dimensional electron gas induced via trion
formation in CdTe/CdMgTe quantum wells. Phys. Status Solidi B, v. 234, N 4,
p. 878-881 (2006).
Astakhov G.V., Kiessling T., Yakovlev D.R., Zhukov E.A., Bayer M.,
Ossau W., Zakharchenya B.P., Karczewski G., Wojtowicz T., Kossut J.
Nanosecond spin memory of electrons in CdTe/CdMgTe quantum wells.
Phys. Status Solidi B, v. 234, N 4, p. 858-862 (2006).
Greilich A., Oulton R., Zhukov E.A., Verbin S., Yugova I., Schwab M.,
Yakovlev D.R., Bayer M., Stavarache V., Reuter D., Wieck A. Optically induced
spin coherence in self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots. Phys. Rev. Lett.,
v. 96, N 22, p. 227401-1 - 227401-4 (2006).
Bratschitsch R., Chen, Cundiff S.T., Zhukov E.A., Yakovlev D.R.,
Bayer M., Karczewski G., Wojtowicz T., Kossut J. Electron spin coherence
in n-doped CdTe/CdMgTe quantum wells. Appl. Phys. Lett., v. 89, N 22,
p. 221113-1 - 221113-4 (2006).
Звягин И.П., Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н. Прыжковая
epsilon2-проводимость легированных бором пленок a-Si:H, подвергнутых
высокотемпературному отжигу в водороде. ФТП, т. 40, в. 1, с. 112-116 (2006).
Звягин И.П., Ормонт М.А. Температурное подавление концентрационной щели
в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком. Вестник Моск.
университета, т. 14, в. 4, c. 21-24 (2006).
Zvyagin I.P. Generalized pair approximation in the description of the
ac conductivity of a dense disordered array of quantum dots.
Phys. Status Solidi C, v. 3, p. 300-303 (2006).
Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Черногузов Д.В., Михайлов С.Г.,
Молчанов А.В. Особенности краевого поглощения и распространения света в
монокристаллах Zn1-xCdxAs2. Изв. РАН.
Неорганические материалы, т. 42, в. 12, с. ? (2006).
Яржемский В.Г., Муратов С.В., Нефедов В.И., Муравьев Э.Н., Молчанов А.В.,
Багатурьянц А.А., Книжник А.А., Морозова В.А. Зонная структура разбавленного
магнитного полупроводника MnxCd1-xGeAs2.
Изв. РАН. Неорганические материалы т. 42, в. 8, с. 924-927 (2006).
Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Трухан В.М. Особенности
краевого поглощения и распространения света в моноклинном дифосфиде цинка.
Изв. РАН. Неорганические материалы, т. 42, в. 3, с. 221-225 (2006).
Fenukhin А.V., Kazanskii A.G., Kolosko A.G., Terukov E.I., Ziminov A.V.
Absorption spectra of organic semiconductors in IR-range measured by constant
photocurrent method. J. Non-Cryst. Solids, v. 352, p. 1668-1670 (2006).
Kazanskii A.G., Khabarova K.Yu., Terukov E.I. Modulated photoconductivity
method for investigation of band gap state distribution in silicon-based thin
films. J. Non-Cryst. Solids, v. 352, p. 1176-1179 (2006).
Казанский А.Г., Хабарова К.Ю. Фотоиндуцированные изменения плотности
электронных состояний в щели подвижности компенсированного a-Si:H. Материалы
электронной техники, в. 1, с. 63-65 (2006).
Курова И.А., Нальгиева М.А. Влияние высокотемпературного отжига в водороде
на оптические свойства легированных бором пленок a-Si:H. Вестник МГУ, сер.3.
Физика. Астрономия, т. 14, в. 3, с. 39-42 (2006).
Бадгутдинов М.Л., Коробов Е.В., Лукьянов Ф.А., Юнович А.Э., Коган Л.М.,
Гальчина Н.А., Рассохин И.Т., Сощин Н.П. Спектры люминесценции, эффективность
и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе
p-n-гетероструктур InGaN/GaN, покрытых люминофорами. ФТП, т. 40, в. 6,
с. 758-763 (2006).
Бадгутдинов М.Л., Гальчина Н.А., Коган Л.М., Рассохин И.Т., Сощин Н.П.,
Юнович А.Э. Мощные светодиоды белого свечения для освещения. Светотехника,
в. 3, с. 36-40 (2006).
Один И.Н., Чукичев М.В., Висицкий Е.В., Рубина М.Э., Мазов Н.А. Влияние
изо- и гетеровалентного замещения на люминесцентные свойства CdS в системах
Zn, Cd, S, Te; In(III), Cd, S, Te. Изв. РАН. Неорганические материалы,
т. 42. в. 10. с. 1159-1163 (2006).
Колониус С.Д., Чукичев М.В., Петров В.И., Один И.Н., Кортунова Е.В.,
Рубина М.Э., Лютин В.И., Шванский П.П. Катодолюминесценция кристаллов оксида
цинка, выращенных гидротермальным методом и подвергнутых термообработке в
различных средах. Поверхность, в. 9, с.103-107 (2006).
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Гаврилов С.А. Колебательные процессы
в нанокристаллах CdS, CdSe и ZnSe: установление корреляции между геометрической
формой и оптическими свойствами. Материалы электронной техники, в. 3, с. 32-38
(2006).
Тезисы докладов и публикации в трудах конференций
Жуков Е.А., Кабанин Д.А., Лясковский В.Л., Умайер Т. Нелинейное пропускание
ультракоротких импульсов света квантовыми точками CdSe/ZnS при двухфотонном
резонансном возбуждении. Научная конференция "Ломоносовские чтения. Серия
физическая". Москва, Россия, апрель 2006. Сборник тезисов докладов, с. 73-76.
Жуков Е.А., Добынде И.И., Санталов А.Н. Замедление релаксации носителей
заряда по уровням энергии размерного квантования в квантовых точках CdSe/ZnS
при высоких уровнях оптического возбуждения. Научная конференция "Ломоносовские
чтения. Серия физическая". Москва, Россия, апрель 2006. Сборник тезисов
докладов, с. 76-79.
Dneprovskii V.S., Kabanin D.A., Lyaskovskii V.L., Wumaier T., Zhukov E.A.
Nonlinear absorption and refraction of CdSe/ZnS quantum dots at two-photon
resonant excitation. Proc. 14th Int. Symposium "Nanostructures: physics and
technology". St. Petersburg, Russia, p. 142-143, 2006.
Dobinde I.I., Santalov A.N., Zhukov E.A., Dneprovskii V.S. The slowing
down of intraband relaxation of CdSe/ZnS quantum dots at high density of the
excited carriers. Proc. 14th Int. Symposium "Nanostructures: physics and
technology". St. Petersburg, Russia, p. 134-135, 2006.
Yakovlev D.R., Greilich A., Oulton R., Zhukov E.A., Yugova I. Bayer M.,
Shabaev A., Efros Al.L., Merkulov I.A., Stavarache V., Reuter D., Wieck A.
Optical generation of electron spin coherence in singly charged (In,Ga)As/GaAs
quantum dots. Proc. 14th Int. Symposium "Nanostructures: physics and
technology". St. Petersburg, Russia, p. 37-38, 2006.
Dneprovskii V.S., Lyaskovskii V.L., Wumaier T., Zhukov E.A. Nonlinear
absorption and refraction of CdSe/ZnS quantum dots at one- and two-photon
resonant excitation of excitons. Abstracts of Russian-Swiss Seminar "Exciton
and Exciton Condensates in Confined Semiconductor Systems". Moscow, Russia,
p. 18, 2006.
Greilich A., Oulton R., Verbin S.Y., Zhukov E., Yugova I., Schwab M.,
Yakovlev D.R., Bayer M. Optically induced spin coherence in self-assembled
InGaAs/GaAs quantum dots. Program and Abstracts of 8th Int. Workshop on
Nonlinear Optics and Excitation Kinetics in Semiconductors. Munster, Germany,
p. Mo 1-3б. 2006.
Greilich A., Oulton R., Verbin S.Y., Zhukov E., Yugova I., Schwab M.,
Yakovlev D.R., Bayer M. Optical control of spin coherence in singly charged
(In,Ga)As/GaAs quantum dots. Program and Abstracts of 4th Int. Conference on
Semiconductor Quantum Dots". Chamonix Mont Blanc, France, p. 100, 2006.
Zvyagin I.P. Fixed range hopping regime for AC conduction over localized
states. 14th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Ed.
Zh. Alferov and L. Esaki. Ioffe Institute, St. Petersburg, 2006, 26-30 June,
p. 226-227.?
Veligzhanin A.A., Lebedev A.I., Mischenko V.V., Sluchinskaya I.A.,
Chernyshov A.A. EXAFS study of the local environment of Pb impurity in
CaTiO3, SrTiO3 and BaTiO3. 5th Int. Seminar
on Ferroelastic Physics (ISFP-5, Voronezh, Russia, 2006). Abstract book,
p. 52.
Велигжанин А.А., Гусева Е.В., Лебедев А.И., Мищенко В.В., Случинская И.А.,
Чернышов А.А. Исследование локального окружения атомов Pb в SrTiO3
и BaTiO3 методом EXAFS. Научная конференция ИСФТТ-2006 (11-13
апреля 2006 г, г.Москва). Программа и сб. аннотаций, с. 126.
Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Черногузов Д.В., Михайлов С.Н.,
Молчанов А.В. Анизотропное уширение ИК луча света в моноклинных кристаллах
Zn1-xCdxAs2. Программа X Всероссийской
школы-семинара "Волновые явления в неоднородных средах" (Звенигород, 2006),
с. 21.
Тезисы доклада содержатся на сайте школы-семинара http://nls.phys.msu.su/files/programm.pdf p. 18.
Казанский А.Г., Хабарова К.Ю. Фотоиндуцированное изменение проводимости
в легированном и компенсированном аморфном гидрированном кремнии. Сборник
трудов V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические
полупроводники", Санкт-Петербург, 2006, с. 27-28.
Казанский А.Г., Хомич А.А. Электрические и фотоэлектрические свойства
тонких пленок аморфного гидрированного кремния. Сборник трудов V Международной
конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург,
2006), с. 36.
Казанский А.Г., Фенухин А.В. Электрические и фотоэлектрические свойства
тонких пленок перилена. Сборник трудов V Международной конференции "Аморфные
и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2006), с. 79-80.
Kazanskii A.G., Forsh P.A., Khabarova K.Yu. Band gap density of states
distribution and photoconductivity in nanocrystalline hydrogenated silicon.
Abstracts of 1st Joint China-Russian Workshop on Advanced Semiconductors
Materials and Devices. Beijing, China 2006, p. 7.
А. Kazanskii, P. Lazarev, A. Kozhanov, A. Manko, A. Nokel, E. Sidorenko,
A. Solodov, V. Sulimov. Solution-processed photosensitive organic thin films
for solar cell applications. Abstracts of spring MRS meeting (San Francisco)
2006, p. 284-285.
Курова И.А., Нальгиева М.А. Влияние высокотемпературного отжига в водороде
на оптические свойства легированных бором пленок a-Si:H. Сборник трудов
научной сессии "МИФИ-2006", Москва, т. 4, с. 188-190, 2006.
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние температуры и интенсивности освещения
на образование метастабильных состояний в a-Si:H. Сборник трудов V
Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники",
(Санкт-Петербург, 2006), с. 49-50.
Батгутдинов М.Л., Авакьянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Широков С.С.,
Юнович А.Э., Богданов А.А., Васильева Е.Д., Николаев Д.А., Феопентов А.В.
Спектры люминесценции и эффективность синих и белых светодиодов на основе
p-n-гетероструктур InGaN/GaN. Труды VIII Международной Конференции "Опто-,
наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, 2006), с. 200.
Гальчина Н.А., Коган Л.М., Рассохин И.Т., Сощин Н.П., Широков С.С.,
Юнович А.Э. Спектры электролюминесценции ультрафиолетовых светодиодов на
основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN. Труды VIII Международной
Конференции "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы"
(Ульяновск, 2006), с. 195.
Батгутдинов М.Л., Авакьянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Широков С.С.,
Юнович А.Э., Богданов А.А., Васильева Е.Д., Николаев Д.А., Феопентов А.В.
Спектры отражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN.
Труды VIII Межд. конф. "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы"
(Ульяновск, 2006), с. 173.
Бадгутдинов М.Л., Милютин Д.В., Юнович А.Э., Гутцайт Э.М. Измерения
полноцветных светодиодов. 12 Межд. конф. студ. и асп. "Радиоэлектроника,
Электротехника и Энергетика", Москва, МЭИ, март 2006 г., тез. докл., т. 1,
с. 209-210.
Коган Л.М., Гальчина Н.А., Рассохин И.Т., Сощин Н.П., Юнович А.Э. Мощные
светодиоды белого свечения и модули на их основе для целей освещения.
VI Международный Светотехнический Конгресс "Свет без границ". Тез. докл.,
Калининград, Светлогорск, 19-21 сент. 2006, с. 48-49.
Бадгутдинов М.Л., Лукьянов Ф.А., Юнович А.Э., Гутцайт Э.М., Коган Л.М.
Исследования цветовых параметров светодиодных модулей. VI Международный
Светотехнический Конгресс "Свет без границ". Тезисы докладов, Калининград,
Светлогорск, 19-21 сент. 2006, с. 50-51.
Бадгутдинов М.Л. Анализ спектров излучения светодиодов и определение
параметров p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN. Тезисы докладов VIII
Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и
полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2006), с. 101.
Широков С.С. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе
р-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами. Тезисы
докладов VIII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников
и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2006), с. 105.
Кортунова Е.В., Лютин В.И., Чукичев М.В. Выращивание и свойства кристаллов
цинкита. Тезисы докладов 12-й Национальной конференции по росту кристаллов
(Москва, 2006), с. 227.
Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Gavrilov S.A. Comparative Raman and
photoluminescence study of porous silicon-germanium superlattices. Extended
Abstracts of the 5th Int. Conf. on Porous Semiconductors - Science and
Technology, Cullera-Valencia, Spain, 13-17.03 2006, p. 388-389.
Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Gavrilov S.A. Polaron effect on
plasma resonance and Raman scattering in porous nanostructured InAs. Extended
Abstracts of the 5th Int. Conf. On Porous Semiconductors - Science and
Technology, Cullera-Valencia, Spain, 13-17.03 2006, p. 390-391.
Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова Н.А., Белогорохова Л.И.,
Елютин А.В. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей
заряда и коэффициента Холла в эпитаксиальных слоях
CdxHg1-x-yZnyTe (0.09<x<0.3,
0<y<0.17). Тезисы докладов XIX Международной научно-технической
конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2006),
с. 114.
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Денисов И.А., Пашкова Н.В.,
Смирнова Н.А. Спектральная зависимость комбинированной плотности состояний
в области сингулярностей Ван Хова для твердых растворов
CdxHg1-x-yZnyTe. Тезисы докладов XIX
Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам
ночного видения (Москва, 2006), с. 193-194.
Белогорохов А.И., Стороженко П.А., Туторский И.А., Ищенко А.А.,
Белогорохова Л.И. Оптические свойства наноразмерного кремния в инфракрасной
области спектра. Тезисы докладов XII Национальной конференции по росту
кристаллов (Москва, ИК РАН, 2006), с. 414.
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Василевский М.И., Гаврилов С.А.,
Miranda R.P., Dittrich Th. Поглощение ИК- излучения полярными оптическими
фононами в массиве нанокристаллов CdS, состоящем из квантовых точек и
квантовых нитей. Тезисы докладов XII Национальной конференции по росту
кристаллов (Москва, ИК РАН, 2006), с. 379.