Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/f8.html Дата изменения: Fri Aug 9 18:36:21 1996 Дата индексирования: Mon Oct 1 19:40:44 2012 Кодировка:

Figure 8. Dependence of T_c upon the concentration N_i of different impurities for PbTe_0.92S_0.08. 1, Cd; 2, Ga; 3, In; 4, Tl; 5, Sb; 6, Bi; 7, Mn /20/. Dashed line corresponds to the isoelectronic impurity Se.