Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2004 год

Статьи

• Днепровский В.С., Жуков Е.А., Шалыгина О.А., Евтихиев В.П., Кочерешко В.П. Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CdSe/ZnSe. ЖЭТФ, т. 125, в. 1, с. 173-180 (2004).
• Днепровский В.С., Жуков Е.А., Лясковский В.Л., Рыжков М.В., Толпейкин И.В., Шаталин А.И. Люминесценция квантовых нитей CdSe / Al2O3 при высоких уровнях фотовозбуждения. ФТТ, т. 46, в. 9, с. 1700-1705 (2004).
• Rubel O., Baranovskii S.D., Zvyagin I.P., Thomas P., Kasap S.O. Lucky-drift model for avalanche multiplication in amorphous semiconductors. Phys. Status Solidi C, v. 1, N 5, p. 1186-1193 (2004).
• Yarkin D.G., Balagurov L.A., Bayliss S.C., Zvyagin I.P. Charge carrier transport in thermally oxidized metal/PS/p-Si and metal/PS/n-Si structures. Semicond. Sci. Technol, v. 19, p. 100-105 (2004).
• Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N. Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon. Phys. Status Solidi C, v. 1, N 1, р. 101-104 (2004).
• Zvyagin I.P., Borisov K.E. Superlattices with intentional disorder: impurity-assisted vertical hopping. Phys. Status Solidi C, v. 1, N 1, p. 105-108 (2004).
• Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A. EXAFS study of the influence of impurities on the phase transitions in GeTe. Ferroelectrics, v. 298, p. 189-197 (2004).
• Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A. A new method for determining parameters of the potential well of-center atoms from EXAFS data. Crystallography Reports, v. 49, Suppl. 1, p. S153-S157 (2004).
• Kitaeva G.K., Kuznetsov K.A., Morozova V.A., Naumova I.I., Penin A.N., Shepelev A.V., Viskovatich A.V., Zhigunov D.M. Reduction-induced polarons and optical response of Mg-doped LiNbO3 crystals. Appl. Phys. B, v. 78, р. 759-764 (2004).
• Кошелев О.Г., Морозова В.А., Григорьева Г.М., Звягина К.Н., Спасский А.В. Диагностика неоднородности распределения рекомбинационных центров в кремниевых фотопреобразователях по спектрам фототока. Изв. РАН. Серия физическая, т. 68, в. 12, с. 1807-1811 (2004).
• Кошелев О.Г., Морозова В.А., Григорьева Г.М., Звягина К.Н., Спасский А.В. Анализ неоднородных распределений дефектов в кремниевых фотопреобразователях, облученных протонами. Вестник МГУ. Сер.3. Физика и Астрономия, в. 6, с. - (2004).
• Chukichev M.V., Forsh P.A., Fuhs W., Kazanskii A.G. Creation of metastable defects in microcrystalline silicon films by keV-electron irradiation. J. Non-Cryst. Solids, v. 338-340, p. 378-381 (2004).
• Казанский А.Г., Хабарова К.Ю. Распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне микрокристаллического гидрированного кремния. ФТП, т. 38, в. 10, с. 1261-1264 (2004).
• Аливов Я.И., Один И.Н., Колониус С.Д., Чукичев М.В. Влияние отжига на катодолюминесценцию эпитаксиальных слоев ZnO:Ga, имплантированных азотом. Изв. РАН. Серия физическая, т. 68, в. 9, с. 1374-1376 (2004).
• Alivov Ja.I., Look D.C., Ataev B.M., Chukichev M.B., Mamedov V.V., Zimenko V.I., Agafonov Ju.A., Pustovoit A.N. Fabrication of ZnO-based metal-insulator-semiconductor diode by ion implantation. Solid State Electronics, v. 48, p. 2343-2346 (2004).
• Один Н.Н., Чукичев М.В., Рубина М.Э. Легирование кристаллов CdS в парах кадмия индием и теллуром и люминесцентные свойства кристаллов. Неорганические материалы, т. 40, в. 12, c. 1415-1417 (2004).
• Один Н.Н., Чукичев М.В., Рубина М.Э. Люминесцентные и электрофизические свойства метастабильных четверных соединений в системах Cd,MIII//S,Te (M=In,Ga). Неорганические материалы, т. 40, в. 12, c. 1427-1430 (2004).
• Петров В.И., Чукичев М.В., Исаков Д.В., Вилсон Дж., Полвард Н. Катодолюминесцентный анализ алмазных пленок, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы. Поверхность, в. 3, с. 57-64 (2004).
• Петров В.И., Чукичев М.В., Исаков Д.В. Катодолюминесценция алмазных пленок. Поверхность, в. 3, с. 101-104 (2004).
• Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова Н.А., Белогорохова Л.И. Исследование структурного совершенства эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe/CdZnTe методом комбинационного рассеяния света. ФТП, т. 38, в. 1, с. 84-93 (2004).
• Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Miranda R.P., Vasilevskiy M.I., Gavrilov S.A. Mixed optical phonon modes in semiconductor nanocrystals synthesized in porous Al2O3 matrix. Phys. Status Solidi C, v. 1, N 11, р. 2638-2641 (2004).

Тезисы докладов на конференциях

• Маренкин С.Ф., Морозова В.А. Параметры зонной структуры монокристаллов CdAs2, ZnAs2 и твердых растворов Cd1-xZnxAs2. Структурные дефекты в CdAs2 и ZnAs2. Сборник материалов Международной научной конференции "Современные проблемы общей и неорганической химии" (Москва, октябрь 2004), с. 142-149.
• Morozova V.A., Marenkin S.F., Mikhailov S.G., Koshelev O.G., Varnavsky S.A. Optical and photoelectrical properties of Cd1-xZnxAs2 solid solutions. 2nd Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics (Chisinau, Moldova, September 2004), Book of abstracts, p. 32.
• Казанский А.Г. Фотопроводимость микрокристаллического гидрированного кремния. Сборник трудов IV Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2004), с. 20.
• Казанский А.Г., Хабарова К.Ю. Исследование плотности состояний в аморфном и микрокристаллическом кремнии с помощью измерения модулированной фотопроводимости. Сборник трудов IV Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2004), с. 77.
• Wang X.Q., Yin M., He D.Y., Karabutov A.V., Kazanskii A.G. Electron field emission from silicon films deposited by inductively coupled plasma CVD at room temperature. Сборник трудов IV Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2004), с. 21.
• Тамеев А.Р., Фенухин А.И., Ванников А.В, Казанский А.Г. Фотовольтаические свойства гетероперехода n-Si - органический полупроводник. Сборник трудов IV Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2004), с. 183.
• Курова И.А., Нальгиева М.А., Ормонт Н.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде. Сборник трудов IV Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2004), с. 61-62.
• Ормонт Н.Н., Курова И.А., Прокофьев Г.В. Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si:H. Сборник трудов IV Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2004), с. 59-60.
• Yunovich A.E.. Luminescence spectra and efficiency of GaN-based LEDs. Int. Symp. "To the New Horizon of the Nitride Research" (Nagoya, Japan, March 2004); Book of Abstr., p. 43.
• Yunovich A.E., Obydena S.S. Electroluminescence spectra of GaN-based LEDs. Meijo International Symposium on Nitride semiconductors (Nagoya, Japan, March 2004); Book of Abstr., p. 35.
• Широков С.С., Юнович А.Э. Фотоприемники и излучатели ультрафиолетового диапазона на основе гетероструктур нитрида галлия и его твердых растворов. Тез. докл. XVIII Межд. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, НПО "Орион", 2004 г.), с. 27.
• Юнович А.Э. Введение: Развитие работ по полупроводниковым нитридам в России. Тез. докл. III Всероссийской конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (Москва, МГУ, июнь 2004), с. 4-5.
• Коробов Е.В., Широков С.С., Юнович А.Э. Изменение температуры и цветовых характеристик светодиодов белого свечения при увеличении тока. Тез. докл. III Всероссийскойя конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (Москва, МГУ, июнь 2004), с. 137-138.
• Лукьянов Ф.А., Татулин В.В. Расчет координат цветности и индекса цветопередачи белых светодиодов. Тез. докл. III Всероссийской конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (Москва, МГУ, июнь 2004), с. 170.
• Chukichev M.V., Kolonius S.D., Kortunova E.V., Legutin V.I., Chvansky P.P. The cathodoluminescence properties of zinc oxide crystal and getherostructures on it base. The International Jubilee Conference "Single Crystals and their application in the XXI century - 2004", VNIISIMS, Alexandrov, Russia, June 8-11, 2004, c. 335.
• Чукичев М.В., Родионов И.Д., Осипов А.Ф., Ильевский А.В. Свойства твердого раствора AlGaN и его катодолюминесценция в лазере УФ диапазона. Тез. докл. III Всероссийской конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия; структуры и приборы" (Москва, МГУ, июнь 2004), с. 16.
• Колониус С.Д., Чукичев М.В. Катодолюминесценция кристаллов оксида цинка, используемых как подложки для эпитаксиального роста GaN. Тез. докл. III Всероссийской конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия; структуры и приборы" (Москва, МГУ, июнь 2004), с. 20.
• Калинина Е.В., Онушкин Г.А., Черенков А.Е., Аливов Я.И., Look D.C., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Чукичев М.В. Ультрафиолетовые ZnO/p-AlGaN светодиоды. Тез. докл. III Всероссийской конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия; структуры и приборы" (Москва, МГУ, июнь 2004), с. 45.
• Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Kobeleva S.P., Gavrilov S.A. Determination of SiOx layer thickness on a surface of silicon nanocrystals by using X-ray photoelectron spectroscopy. Extended Abstracts of the 4-th Int. Conf. On Porous Semiconductors - Science and Technology (Cullera-Valencia, Spain, March 2004), p. 290-291.
• Belogorokhov A.I., Gavrilov S.A., Belogorokhova L.I., Kravchenko D.A., Kobeleva S.P. Fabrication, optical properties, confined and coupled lattice vibrational modes of CdS nanocrystals embedded in porous Al2O3. Book of abstracts of the 2nd Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics (MSCMP-2004), Chisinau, Moldova, September 21-25, 2004, p. 210.
• Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Gavrilov S.A. Dipolar vibrational modes confined in ZnSe nanocrystals embedded in free-standing layers of porous Al2O3. Book of abstracts of the 2nd Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics (MSCMP-2004), Chisinau, Moldova, September 21-25, 2004, p. 231.
• Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Miranda R.P., Vasilevskiy M.I., Gavrilov S.A. Mixed optical phonon modes in semiconductor nanocrystals synthesized in porous Al2O3 matrix. Book of abstracts of the 11 Int. Conf. on Phonon scattering in condensed matter, St. Petersburg, Russia, July 25-30, 2004, p. 92.
• Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Василевский М.И., Гаврилов С.А. Фононные колебания смешанного типа в нанокристаллах CdS и CdSe, синтезированных в пористом Al2O3. Тезисы докладов XI национальной конференции по росту кристаллов (Москва, ИК РАН, декабрь 2004), с 155.