Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/list09.html
Дата изменения: Fri Mar 15 18:17:37 2013
Дата индексирования: Thu Feb 27 20:54:44 2014
Кодировка: koi8-r
Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2009 год
Статьи
Zhukov E.A., Yakovlev D.R., Gerbracht M., Mikhailov G.V., Karczewski G.,
Wojtowicz T., Kossut J., Bayer M. Spin coherence of holes and electrons in undoped
CdTe/(Cd,Mg)Te quantum wells. Phys. Rev. B, v. 79, N 15, p. 155318 (8pp.) (2009).
Akimov I.A., Dzhioev R.I., Korenev V.L., Kusrayev Yu.G., Zhukov E.A., Yakovlev
D.R., Bayer M. Electron-spin dynamics in Mn-doped GaAs using time-resolved
magneto-optical techniques. Phys. Rev. B, v. 80, N 8, p. 081203(R) (4pp.) (2009).
Звягин И.П., Миронов А.Г., Ормонт М.А. Асимптотическое поведение электронных
волновых функций в неупорядоченных гранулированных материалах. Вестник Моск.
университета. Сер. 3. Физика. Астрономия, в. 3, с. 66-68 (2009).
Лебедев А.И., Случинская И.А., Ерко А., Велигжанин А.А., Чернышов А.А.
Локальное окружение примеси свинца в титанатах бария, стронция и кальция по
данным XAFS-спектроскопии. Физ. тверд. тела, т. 51, в. 5, с. 940-946 (2009).
Лебедев А.И., Случинская И.А., Ерко А., Козловский В.Ф. Прямое доказательство
нецентральности примеси Mn в SrTiO3. Письма в ЖЭТФ, т. 89, в. 9, с. 545-549 (2009).
Лебедев А.И. Ab initio расчеты фононных спектров в кристаллах перовскитов
ATiO3 (A = Ca, Sr, Ba, Ra, Cd, Zn, Mg, Ge, Sn, Pb). Физ. тверд. тела, т. 51,
в. 2, с. 341-350 (2009).
Лебедев А.И. Сегнетоэлектрический фазовый переход в орторомбическом CdTiO3:
расчеты из первых принципов. Физ. тверд. тела, т. 51, в. 4, с. 757-763 (2009).
Лебедев А.И. Сегнетоэлектрические явления в CdSnO3: исследования из первых
принципов. Физ. тверд. тела, т. 51, в. 9, с. 1766-1770 (2009).
Лебедев А.И. Ab initio исследования диэлектрических, пьезоэлектрических
и упругих свойств сегнетоэлектрических сверхрешеток BaTiO3/SrTiO3. Физ. тверд.
тела, т. 51, в. 11, с. 2190-2198 (2009).
Морозова В.А., Кошелев О.Г., Веретенкин Е.П., Гаврин В.Н., Козлова Ю.П.
Примесный фотовольтаический эффект на p-i-n структурах на основе нелегированного
GaAs. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия, т. 17, в. 2, с. 69-72 (2009).
Казанский А.Г. Фотоэлектрические свойства микрокристаллического кремния.
Материалы электронной техники, в. 1, с. 12-21 (2009).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности фотоиндуцированной релаксации
метастабильных дефектов в аморфном гидрированном кремнии. Вестник МГУ, сер. 3.
Физика. Астрономия, в. 1, с. 56-59 (2009).
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Влияние освещения на темновую проводимость и
фотопроводимость слоистых пленок аморфного гидрированного кремния. Вестник
МГУ, сер. 3. Физика. Астрономия, в. 5, с. 51-55 (2009).
Jabbarov R., Musayeva N., Scholz F., Wunderer T., Turkin A.N., Shirokov S.S.,
Yunovich A.E. Preparation and optical properties of Eu2+ doped CaGa2S4-CaS
composite bicolor phosphor for white LED. Phys. Status Solidi A, v. 206, N 2,
р. 287-292 (2009).
Berman I.V., Bogdanov E.V., Kissel H., Minina N.Ya., Shirokov S.S.,
Yunovich A.E. Electroluminescence in quantum well heterostructures
p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs under uniaxial stress. Phys. Status Solidi B,
v. 246, N 3, р. 522-526 (2009).
Avakyants L., Bokov P., Chervyakov A., Chuas A., Yunovich A., Vasileva E.,
Yavich B. Electroreflectance diagnostics of InGaN/AlGaN/GaN based LEDs structures.
Phys. Status Solidi C, v. 6, N 12, р. 2852-2854 (2009).
Сощин Н.П., Гальчина Н.А., Коган Л.М., Широков С.С., Юнович А.Э. Светодиоды
"теплого" белого свечения на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN,
покрытых люминофорами из иттрий-гадолиниевых гранатов. Физ. и техн. полупроводн.,
т. 43, в. 5, с. 700-704 (2009).
Юнович А.Э. Что говорят эксперты (к статье А.Давыдова "Дорожная карта по
светодиодам"). Российские нанотехнологии, т. 4, в. 3-4, с. 26 (2009).
Юнович А.Э. Контроль светодиодных эпитаксиальных гетероструктур с квантовыми
ямами типа InGaN/AlGaN/GaN и эффективных светодиодов на их основе. В кн.: Сборник
инновационных проектов физического факультета МГУ. Москва, Типография МГУ,
с. 78-80 (2009).
Юнович А.Э. Воспоминания о В.Д. Кривченкове. В книге "Владимир Дмитриевич
Кривченков", М. Физический факультет МГУ, с. 54-55 (2009).
Sokolov V.I., Jermakov A.Je., Uimin M.A., Mysik A.A., Pustovarov V.A.,
Chukichev M.V., Gruzdev N.B. Optical properties of oxide magnetic ZnO, Zn0.95Mn0.05O
and Cu2O nanopowders. Journal of Luminescence, v. 129, p. 1771-1774 (2009).
Один И.Н., Чукичев М.В., Гапанович М.В., Козловский В.Ф., Нуртазин А.А.,
Новиков Г.Ф. Люминесцентные свойства твердых растворов на основе системы Cd-In-Te.
Изв. РАН. Неорганические материалы, т. 45, в. 7, с. 799-805 (2009).
Хачатрян Г.К., Копчаков М.Б., Гаранин В.К., Чукичев М.В., Головин Н.Н.
Новые данные о типоморфизме алмаза из россыпей северного Тимана. Вестн. Моск.
Ун-та, сер. 4 Геология, в. 2, с. 39-48 (2009).
Belogorokhov Alexander I., Parhomenko Yury N., Karpov Yury A., Popov Inna,
Gutkin Vitaly, Uvarov Vladimir, Belogorokhova Lubov I., and Kuselman Ilya.
Self-forming Si Nanospheres: New Prospects for Good Old Silicon. Journal of
Advanced Materials, v. 42, N 2, p. 64-78 (2009).
Тезисы докладов, публикации в трудах конференций и публикации в электронных
изданиях
Дау Х., Днепровский В.С., Жуков Е.А., Козлова М.В., Умайер Т. Резонансное
взаимодействие ультракоротких мощных импульсов лазера с экситонами в
полупроводниковых квантовых точках. Тезисы докл. IX Российской конф. по физике
полупроводников (Новосибирск-Томск, 2009), с. 140.
Dneprovskii V.S., Wumaier T., Zhukov E.A., Dau S. Self-action of laser beam
at resonant excitation of the basic exciton transition in colloidal quantum
dots. Proc. of 17th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and technology"
(Minsk, 2009), р.258-259.
Ormont M.A., Zvyagin I.P. Coulomb gap and superlinear frequency dependence
of resonance hopping AC conductivity. Reviews and Short Notes to Int. Conf.
"Nanomeeting-2009", Eds. V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin, Minsk,
Belarus, p.52-55 (2009).
Венедиктов В.А., Звягин И.П. Особенности прыжковой проводимости
неупорядоченных полупроводников с цепочечной структурой. Научная конференция
"Ломоносовские чтения". Секция физики. 16-25 апреля 2009 г. Сб. тезисов
докладов. М: Физический факультет МГУ, с.105-108 (2009).
Звягин И.П. Влияние микро- и наноструктуры на прыжковый перенос в
неупорядоченных полупроводниках. IX Российская конф. по физике
полупроводников "Полупроводники-2009" (Новосибирск-Томск, 2009), Тез. докл.,
с. 203.
Ормонт М.А. Особенности поведения бесфононной прыжковой проводимости в
области кроссовера от линейной к квадратичной частотной зависимости. IX Российская
конф. по физике полупроводников "Полупроводники-2009" (Новосибирск-Томск,
2009), Тез. докл., с. 255.
Случинская И.А., Лебедев А.И. Нецентральные примеси в SrTiO3: данные прямых
исследований методом EXAFS. Тезисы докладов научной конференции "Ломоносовские
чтения", секция Физика, Москва, МГУ, физический факультет, с. 98-102 (2009).
Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A., Erko A. XAFS study of structural position
and oxidation state of Mn impurity in SrTiO3. 6th Int. Seminar on
Ferroelastics Physics (ISFP-6, Voronezh, Russia). Abstract book, p. 107 (2009).
Lebedev A.I. First-principles studies of physical properties of ferroelectric
superlattices. 6th Int. Seminar on Ferroelastics Physics (ISFP-6, Voronezh,
Russia). Abstract book, p. 7 (2009).
Лебедев А.И., Случинская И.А., Ерко А. Локальное окружение и зарядовое состояние
примеси Mn в SrTiO3 и CaTiO3 по данным XAFS-спектроскопии. Тезисы докладов VII
Национальной конференции "Рентгеновское, Синхротронное излучения, Нейтроны и
электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные
технологии", Москва, с. 384 (2009).
Лебедев А.И., Случинская И.А., Дорофеев С.Г., Тананаев П.Н., Ерко А. Локальное
окружение и зарядовое состояние атомов меди в легированных квантовых точках CdSe
и CdSe/CdS. Тезисы докл. VII Нац. конф. "Рентгеновское, Синхротронное излучения,
Нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов.
Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии", Москва, с. 73 (2009).
Лебедев А.И. Кристаллическая структура и физические свойства сегнетоэлектрических
сверхрешеток BaTiO3/SrTiO3. Тезисы докл. VII Нац. конф. "Рентгеновское,
Синхротронное излучения, Нейтроны и электроны для исследования наносистем и
материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии", Москва, с. 208 (2009).
Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A., Dorofeev S.G., Tananaev P.N., Erko A. XAFS
study of the local structure and oxidation state of Cu impurity atoms in doped
CdSe and CdSe/CdS core/shell quantum dots. Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien
und Energie - Speicherring BESSY II, BESSY Annual Report, p. 72-74 (2008).
Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A., Erko A. XAFS study of structural position of
Mn impurity in SrTiO3 Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie -
Speicherring BESSY II. BESSY Annual Report, p. 34-36 (2009).
Морозова В.А., Кошелев О.Г., Веретенкин Е.П., Гаврин В.Н., Козлова Ю.П.
Примесный фотовольтаический эффект на p-i-n структурах на основе нелегированного
GaAs. Тезисы докл. IX Российской конф. по физике полупроводников
(Новосибирск-Томск, 2009), с. 228.
Kazanskii A.G., Kong G., Zeng X., Hao H. Effect of light soaking on CPM
absorption spectra in silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure.
23d Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (Utrecht, the
Netherland). Book of abstracts, p. 58 (2009).
Казанский A.Г., Kong G., Zeng X. Спектральные зависимости поглощения в
двухфазных пленках гидрированного кремния. Тезисы докл. IX Российской
конф. по физике полупроводников (Новосибирск-Томск, 2009), с. 208.
Курова И.А., Ормонт Н.Н. Особенности фотопроводимости нелегированных
слоистых пленок аморфного гидрированного кремния. Тезисы докл. IX Российской
конф. по физике полупроводников (Новосибирск-Томск, 2009), с. 348.
Иванников П.В., Габельченко А.И., Мирошников П.А., Юнович А.Э., Агапов М.А.,
Васильева Е.Д., Явич Б.С. Исследование светодиодных эпитаксиальных гетероструктур
типа InGaN/AlGaN/GaN методом ЦКЛВСР в РЭМ. XVI Российский Симпозиум по растровой
электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (РЭМ-2009,
Черноголовка, 2009). Тезисы докладов, с. 177.
Васильева Е.Д., Уелин В.В., Феопентов А.В., Явич Б.С., Боков П.Ю., Иванников П.В.,
Чуяс А.В., Юнович А.Э. Светодиоды белого свечения на основе гетероструктур с
квантовыми ямами InGaN/AlGaN/GaN. Тезисы докл. IX Российской конф. по физике
полупроводников (Новосибирск-Томск, 2009), с. 122.
Wunderer T., Wang J., Lipski F., Schwaiger S., Chuvilin A., Kaiser U.,
Metzner S., Bertram F., Christen J., Schirоkov S.S., Yunovich A.E., Scholz F.
Semipolar GaInN/GaN Light-Emitting Diodes Grown on Honeycomb Patterned Substrates.
8th Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS-8, Korea, 2009), Abstr. Book, v. 2,
p. 913-914.
Avakyants L., Bokov P., Chervyakov A., Chuas A., Yunovich A., Vasileva E.,
Yavich B. Piezoelectric field cancellation in the InGaN quantum wells of
GaN/InGaN/AlGaN LED structures: determination the electric fields from the
electroreflectance experiments. 8th Int. Conf. on Nitride Semiconductors
(ICNS-8, Korea, 2009). Abstr. Book, v.1, p. 400-401.
Avakyants L.P., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Chuyas A.V., Yunovich A.E.,
Vasileva E.D., Yavich B.S. Electroreflectance diagnostics of InGaN/AlGaN/GaN based
LEDs structures. XV Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC XV,
Vilnius, 2009), Progr. & Abstracts, p. 89.
Боков П.Ю., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Чуяс А.В., Юнович А.Э., Бауман Д.А.,
Васильева Е.Д., Явич Б.С. Диагностика светодиодных гетероструктур методами
оптической спектроскопии. Научно-практическая конференция "Фундаментальные и
прикладные аспекты инновационных проектов Физического факультета МГУ", ноябрь
2009 г., Сборник трудов, стр. 29-30.
Юнович А.Э. О переводе и издании литературы по физике полупроводников и
полупроводниковых приборов на примере книги Фред Е. Шуберт "Светодиоды".
В брошюре "Проблемы издания и перевода научной книги", изд. "Амалданик", сент.
2009 г., с. 50-53.
Andreev E.V., Berman I.V., Bogdanov E.V., Kissel H., Kolokolov K.I.,
Minina N.Ya., Shirokov S.S., Yunovich A.E. Electroluminescence and band structure
in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs under uniaxial compression. XLVII EHPRG
Conference (Paris, 2009), Conference booklet, p. 258.
Богданов Е.В., Минина Н.Я., Орел А.Б., Широков С.С., Юнович А.Э.
Электролюминесценция и зонная диаграмма наноструктур
p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs при одноосном сжатии. 35-е Совещание по
физике низких температур (Черноголовка, 2009). Тез. докл., с. 231-232.
Bogdanov E.V., Minina N.Ya., Shirokov S.S., Yunovich A.E., Kissel H.
Electroluminescence in laser diode nanostructures p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs
under uniaxial compression. In: Reviews and short notes to NANOMEETING-2009 (Minsk,
Belarus, 2009), p. 609-612.
Чуяс А.В., Татулин В.В. Зависимость спектров электролюминесценции и
эффективности светодиодов белого свечения от температуры. XVI Международная Научная
Конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов-2009", секция "Физика".
Москва, МГУ, физ. фак-т, апрель 2009 г., тезисы докладов, с. 208.
Даниловский Э.Ю., Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Кузьмин Р.В., Еременко М.В.,
Бордовский Г.А., Марченко А.В., Чукичев М.В. Формирование спектров излучения в
кристаллах , легированных . IX Российская конф. по физике полупроводников
("Полупроводники-2009", Новосибирск-Томск, 2009). Тезисы докладов, с. 243.
Belogorokhov A., Belogorokhova L., Gavrilov S. Dipolar vibrational modes confined
in ZnSe nanocrystals. Mat. the 14th International Conference on II-VI compounds
(II-VI-2009, St.-Petersburg, 2009), p-10.
Belogorokhov A., Belogorokhova L., Denisov I., Smirnova N. Raman scattering in
CdHgTe epitaxial layers grown on CdZnTe substrates. Mat. the 14th International
Conference on II-VI compounds (II-VI-2009, St.-Petersburg, 2009), p-39.