Научные публикации кафедры физики полупроводников за 2003 год

Статьи

• Днепровский В.С., Жуков Е.А., Шалыгина О.А., Евтихиев В.П., Кочерешко В.П. Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CdSe/ZnSe. ЖЭТФ, т. 124, в. 6(12), с. 1-8 (2003).
• Звягин И.П., Миронов А.Г., Ормонт М.А. Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр электронов в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком. ЖЭТФ, т. 124, в. 11, с. 1127-1132 (2003).
• Борисов К.Е., Звягин И.П., Миронов А.Г. Особенности вертикального прыжкового переноса электронов с участием фононов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком. Вестник Моск. университета, сер. 3, в. 4, с. 56-60 (2003).
• Маренкин С.Ф., Михайлов С.Г., Морозова В.А., Палкина К.К., Кошелев О.Г. Синтез и свойства монокристаллов твердых растворов Cd1-xZnxAs2. Изв. РАН. Неорганические материалы, т. 39, в. 10, с. 1189-1192 (2003).
• Kozlova J.P., Bowles T.J., Eremin V.K., Gavrin V.N., Koshelev O.G., Markov A.V., Morozova V.A., Polyakov A.J., Verbitskaya E.M., Veretenkin E.P. A comparative study of EL2 and other deep centers in undoped SI GaAs using optical absorption spectra and photoconductivity measurements. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, v. 512, N 1-2, р. 1-7 (2003).
• Казанский А.Г., Мелл Х., Форш П.А. Влияние термического отжига на оптические и фотоэлектрические свойства пленок микрокристаллического гидрированного кремния. ФТП, т. 37, в. 2, с. 235-237 (2003).
• Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Фотоиндуцированные изменения проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием. ФТП, т. 37, в. 7, с. 793-795 (2003).
• Казанский А.Г., Форш П.А., Хабарова К.Ю., Чукичев М.В. Влияние электронного облучения на оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния. ФТП, т. 37, в. 9, с. 1100-1103 (2003).
• Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков Е.И., Форш П.А. Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического кремния, компенсированного бором. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. в. 2, с. 56-58 (2003).
• Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si:H. ФТП, т. 37, в. 2, с. 142-144 (2003).
• Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Влияние светового излучения на скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(B). ФТП, т. 37, в. 6, с. 753-755 (2003).
• Курова И.А., Ормонт Н.Н. Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(P). Известия вузов. Материалы электронной техники. в. 4, с. 431-436 (2003).
• Кудряшов В.Е., Юнович А.Э. Туннельная излучательная рекомбинация в p-n-гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединений типа AIIIBV. ЖЭТФ, т. 124, в. 4(10), с. 1-6 (2003).
• Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами. ФТП, т. 37, в. 9, с. 1131-1137 (2003).
• Юнович А.Э. Светодиоды как основа освещения будущего. Светотехника, в. 3, с. 2-7 (2003).
• Юнович А.Э. Светит больше - греет меньше. Экология и жизнь, в. 4(33), с. 61-64 (2003).
• Юнович А.Э. Светодиоды на основе нитрида галлия и проблемы освещения будущего. Светодиоды и лазеры, в. 1-2, с. 5-8 (2003).
• Чукичев М.В., Аливов Я.И., Атаев Б.М., Колониус С.Д. Влияние меди, введенной в процессе термической диффузии, на люминесцентные свойства окиси цинка. Поверхность, в. 5, с. 70-73 (2003).
• Один И.Н., Чукичев М.В., Рубина М.Э. Получение и люминесцентные свойства кристаллов CdS, легированных галлием и теллуром в парах кадмия. Изв. РАН. Неорганические материалы, т. 39, в. 7, с. 793-795 (2003).
• Один И.Н., Чукичев М.В. Исследование влияния йода на люминесцентные свойства халькогенидов кадмия. Изв. РАН. Неорганические материалы, т. 39, в. 5, с. 534-537 (2003).

Тезисы докладов на конференциях

• Dneprovskii V.S., Evtikhiev V.P., Lyascovskii V.L., Shatalin A.I., Zhukov E.A. Photoluminescence of CdSe/ZnSe quantum dots and CdSe/Al2O3 at high excitation. 11th Int. Symposium "Nanostructures: physics and Technology", St.Petersburg, р. 362 (2003).
• Dneprovskii V.S., Zhukov E.A. Nonstationary processes in semiconductor quantum dots and wires. ALT-03, Cranfield University, GB, р.11 (2003).
• Borisov K.E., Zvyagin I.P. Impurity-Assisted Vertical Hopping In Superlattices With Intentional Disorder. 11th Int. Symp. "Nanostructurs: Physics and Technology", St.Petesburg, Russia, June 2003. Ed. Zh. Alferov and L. Esaki. Ioffe Institute, St.Petersburg, p. 98-99 (2003).
• Борисов К.Е., Звягин И.П. Роль примеси в вертикальном переносе носителей в неупорядоченных решетках. Научная конференция "Ломоносовские чтения". Секция физики. 18 - 25 апреля 2003 г. Сб. расширенных тезисов докладов. М: Физический факультет МГУ, с. 63-66 (2003).
• Zvyagin I.P., Kurova I.A., Ormont N.N. Variable range hopping in hydrogenated amorphous silicon. 10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, Miramare - Trieste, 2003. Abstracts.
• Zvyagin I.P., Borisov K.E. Superlattices with intentional disorder: impurity-assisted vertical hopping. 10th Int. Conf. on Hopping and Related Phenomena, Miramare - Trieste, 2003. Abstracts, р. 1.
• Звягин И.П. Прыжковая проводимость в планарных массивах самоорганизованных квантовых точек. VI Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 2003, с. 177-178.
• Звягин И.П., Миронов А.Г., Ормонт М.А. Сверхрешетки с контролируемым беспорядком: концентрационная щель. VI Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 2003, с. 132-133.
• Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н. Прыжковая проводимость в гидрированном аморфном кремнии. VI Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 2003, с. 431-432.
• Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A. Influence of impurities on the ferroelectric phase transitions in IV-VI semiconductors. NATO Advanced Research Workshop on the disordered ferroelectrics (DIFE-2003, Kiev, Ukraine). Abstract book, p. 26.
• Лебедев А.И., Случинская И.А. Новый метод определения параметров потенциальной ямы для нецентральных атомов в твердых растворах с помощью EXAFS-спектроскопии на примере Ge в твердых растворах GeTe-SnTe. Тез. докл. 4-й Национальной конф. по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2003, Москва, ноябрь 2003), с. 355.
• Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A., Nikitenko S.G., Dorofeev S.G. Determination of Tm charge state in PbTe:Tm by XANES method. The 12th Int. Conf. on X-ray Absorption Fine Structure (XAFS-XII, Malmo, Sweden, June 2003). Abstract book, p. 69.
• Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A. Determination of the three-dimensional potential from the EXAFS data: off-center Ge atom in SnGeTe. The 12th Int. Conf. on X-ray Absorption Fine Structure (XAFS-XII, Malmo, Sweden, June 2003). Abstract book, p. 323.
• Казанский А.Г. Форш П.А., Хабарова К.Ю., Чукичев М.В. Влияние на оптические и фотоэлектрические свойства пленок ?с-Si:H облучения их электронами. Тезисы докладов научной конференции "Ломоносовские чтения", Москва, с. 67- 69 (2003).
• Казанский А.Г. Форш П.А., Хабарова К.Ю., Чукичев М.В. Влияние дефектов на фотопроводимость микрокристаллического гидрированного кремния. Тезисы докладов Третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе ("Кремний-2003"), Москва, с. 387 (2003).
• Бирюков А.В., Казанский А.Г., Фенухин А.В. Метастабильное состояние легированного эрбием аморфного гидрированного кремния, вызванное освещением. Тезисы докладов Третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе ("Кремний-2003"), Москва, с. 378 (2003).
• Birukov A.V., Fenuchin A.V. Kazanskii A.G., Terukov E.I. Light-induced effects in a-Si:H(Er). Book of abstracts. European Materials Research Society 2003 Spring Meeting, Strasbourg, p. J/P.10 (2003).
• Chukichev M.V., Forsh P.A., Fuhs W., Kazanskii A.G. Creation of metastable defects in microcrystalline silicon films by keV-electron irradiation. Book of abstracts. 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors: Science and Technology, Sao Paolo, p. 120 (2003).
• Курова И.А., Ормонт Н.Н. Фотоиндуцированный отжиг термоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H(P). Тезисы докладов третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе ("Кремний 2003"). Москва, 2003, с. 398-399.
• Yunovich A.E., Kudryashov V.E., Turkin A.N., Leroux M., Dalmasso S. Tunnel effects in luminescence spectra of GaN-based heterostructures. MRS Symp. Proc., 2003, v. 743, L11.4, p. 647-652.
• Юнович А.Э. Светодиоды на основе нитрида галлия и проблемы твердотельного освещения. 2-я Всероссийская Конф. "Нитриды галлия, алюминия и индия - структуры и приборы", С.-Петербург, февраль 2003, Тез. докл., с. 114-115.
• Кудряшов В.Е., Юнович А.Э. Туннельная излучательная рекомбинация в p-n-гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединений типа AIIIBV. 2-я Всероссийская Конф. "Нитриды галлия, алюминия и индия - структуры и приборы", С.-Петербург, февраль 2003, Тез. докл., с. 58-59.
• Мамакин С.С., Обыдена С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулировано легированными квантовыми ямами. 2-я Всероссийская Конф. "Нитриды галлия, алюминия и индия - структуры и приборы", С.-Петербург, февраль 2003, Тез. докл., с. 60-61.
• Варешкин М.Г., Кудряшов В.Е., Юнович А.Э., Гальчина Н.А., Коган Л.М., Сощин Н.П. Спектры люминесценции и эффективность белых светодиодов. 2-я Всерос. Конф. "Нитриды галлия, алюминия и индия - структуры и приборы", С.-Петербург, февраль 2003, Тез. докл., с. 62-63.
• А.Э.Юнович. Исследования и разработки полупроводниковых светодиодов для светотехники будущего. V Межд. Светотехническая Конференция, С.-Петербург, 2-5.09.2003., Тез. докладов, с. 10.
• Abramov V.S., Anikin P.P., Shishov A.V., Yunovich A.Е. Angle dependence of white LED's color characteristics. 8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop, Sept.- Oct., 2003; Richmond, Virginia, USA; Abstr. Book, MPos-19, p. 92.
• Варешкин М.Г., Обыдена С.С., Широков С.С., Юнович А.Э. Спектры электролюминесценции и электрические свойства мощных светодиодов на основе гетероструктур типа InGaN/GaN. Международная конференция "Оптика, оптоэлектроника и технологии". Ульяновск, 2003, тез. докл., с. 64.
• Маняхин Ф.И., Обыдена С.С., Юнович А.Э. Влияние распределения примеси в квантовых ямах на электролюминесценцию светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN. Международная конференция "Оптика, оптоэлектроника и технологии". Ульяновск, 2003, тез. докл., с. 66.
• М.Г. Варешкин, С.С.Обыдена, С.С.Широков. Спектры электролюминесценции и электрические свойства мощных светодиодов на основе гетероструктур типа InGaN/GaN. Международная Конференция студентов и аспирантов "Ломоносовские чтения", апрель 2003, Москва, МГУ им. М.В.Ломоносова, Тезисы докладов, с. 239-240.
• Alivov Ya.I., Ataev B.M., Norton D.P., Chukichev M.V., Nikitenko V.A., Mamedov V.V., Zinenko V.I., Agafonov Yu.A., Pustovin A.N. Comparative studies of nondoped and Ga-doped films, implanted with N+ ions. Book of abstracts II, 22th International Conference on defects in semicondactors, Arhus, Denmark, July 28-August 1, 2003.
• Колониус С.Д., Один И.Н., Чукичев М.В., Чегнов В.П., Кортунова Е.В., Лютин В.И., Щванский П.П. Катодолюминесценция объемных кристаллов оксида цинка. Труды V международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технология", г.Ульяновск, 2003, с. 134.
• Колониус С.Д., Чесникова О.В, Чукичев М.В., Кортунова Е.В., Лютин В.И., Щванский П.П. Катодолюминесценция гидротермальных монокристаллов цинкита. Материалы VI международной конференции "Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение". г. Александров, 2003, с. 114-115.