Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/list98.html
Дата изменения: Fri May 14 14:58:56 2010
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:23:16 2012
Кодировка: koi8-r
Научные публикации кафедры физики полупроводников за 1998 год
Монографии
А.Г. Казанский. Аморфные гидрированные полупроводники в электронике
накануне ХХI века. В сб.: Фундаментальные проблемы российской металлургии
на пороге ХХI века. В 4-х томах. т. 4, с. 227-262 (1998).
Статьи
В.С. Днепровский, Е.А. Жуков, Е.А. Муляров, С.Г. Тиходеев. Линейное и
нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях,
кристаллизованных в диэлектрической матрице. ЖЭТФ, т. 114, N 2(8),
с. 700-710 (1998).
V. Dneprovskii, E. Zhukov. Strong Dynamic Optical Nonlinearities of
Semiconductor Quantum Wires. Phys. Status Solidi B, v. 206, p. 469-476 (1998).
V. Dneprovskii, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina. Nonlinear
optical properties of semiconductor quantum wires. Superlattices and
Microstructures, v. 23, N 3/4, (1998).
I.P. Zvyagin. Hopping thermopower in the regime of ballistic phonons.
Phys. Status Solidi B, v. 205, N 1, 391-394 (1998).
A.G. Andreev, A.G. Zabrodskii, S.V. Egorov, I.P. Zvyagin. Thermopower
of neutron transmutation-doped Ge:Ga in the hopping region.
Phys. Status Solidi B, v. 205, N 1, p. 381-384 (1998).
И.П. Звягин. Электронные сверхструктуры в легированных сверхрешетках.
ЖЭТФ, т. 114, N 3(9), с. 1089-1100 (1998).
А.Г. Казанский, Э.Ю. Ларина. Релаксация созданного освещением
метастабильного a-Si:H p-типа, легированного бором. Физ. и техн. полупроводн.,
т. 32, в. 1, с. 117-120 (1998).
A.G. Kazanskii, I.A. Kurova, N.N. Ormont, I.P. Zvyagin. Anomalous
relaxation of light-induced states of a-Si:H films. J. Non-Cryst. Solids,
v. 227-230, p. 306-310 (1998).
А.Г. Казанский. Аморфный гидрированный кремний - материал электронной
техники больших площадей. Материалы электронной техники, т. 4, с. 8-12 (1998).
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. О природе немонотонной кинетики изменения
проводимости пленок a-Si:H под влиянием освещения при повышенной температуре.
Вестник МГУ, сер. 3., т. 39, N 2, с. 73-74 (1998).
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, О.А. Голикова, М.М. Казанин. Релаксация
фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, выращенных
при высоких температурах. Физ. и техн. полупроводн., т. 32, в. 10,
с. 1269-1271 (1998).
В.А. Морозова, В.С. Вавилов, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, М.В. Чукичев.
Серия линий свободного экситона в диарсениде цинка. Физ. тверд. тела, т. 40,
в. 5, с. 877-878 (1998).
В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, А.Г. Миронов. Особенности
распространения света в ZnAs2 . Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия,
т. 39, N 6, с. 62-63 (1998).
О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Контроль неоднородностей проводимости вблизи
поверхности легированных полупроводниковых пластин. Изв. РАН, т. 62, N 12,
с. 2422-2427 (1998).
A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro, G. van Dorssen.
EXAFS studies of the local structure of In in PbTe, SnTe and GeTe. Daresbury
Laboratory Scientific Report 1996-97, p. 248-249 (1998).
S.T. Chudinovskikh, J.A. Litvin, G.V. Saparin, S.K. Obyden, M.V. Chukichev,
V.S. Vavilov. Peculiarities of Diamonds Formed in Alkaline Carbonate-Carbon
Melts at Pressures of 8-10 GPa: Scanning Electron Microscopy and
Cathodoluminescence Date. Scanning, v. 20, р. 380-388 (1998).
A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin.
Aging of InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes. Mat. Res. Soc. Symp. Proc.,
v. 482, p. 1041-1047 (1998).
А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович.
Электролюминесценция гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ионизационном пробое.
Физ. и техн. полупроводн., т. 32, в. 1, c. 63-66 (1998).
И.П. Ревокатова, А.Э. Юнович. Влияние микровключений на люминесценцию
эпитаксиальных пленок - сравнение PbSe и PbTe с нитридом галлия.
Материаловедение, N 8, с. 20-24 (1998).
А.Э. Юнович. Дивакансии азота - возможная причина желтой полосы в
спектрах люминесценции нитрида галлия. Физ. и техн. полупроводн., т. 32,
в. 10, с. 1181-1183 (1998).
А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович.
Взаимосвязь изменений распределения концентрации заряженных центров и
характеристик светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительном
протекании прямого тока. Изв. ВУЗов, Матер. Электрон. Техн., N 3, с. 60-63
(1998).
F.I. Manyakhin, A.N. Kovalev, A.E. Yunovich. Aging Mechanisms of
InGaN/AlGaN/GaN Light Emitting Diodes Operating at high currents. MRS
Intern. Journ. of Nitride Semic. Res., 3/53 (1998).
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante,
S. Gavrilov. Optical characterisation of porous silicon embedded with CdSe
nanoparticles. Appl. Phys. Lett., v. 73, N 19, p. 2766-2768 (1998).
A.I. Belogorokhov, A.G. Belov, V.M. Lakeenkov, L.I. Belogorokhova.
Optical and photoelectric properties of CdxHg1-xTe solid solutions
(0.35<x<0.40). Appl. Phys. Lett., v. 72, N 5, p. 516-518 (1998).
А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков,
Н.А. Смирнова. Оптические исследования решеточных колебаний в кристаллах
Cd1-xZnxTe (0<x<0.2) в квазилокальном приближении. Автометрия СО РАН,
т. 3, с. 69-76 (1998).
A.I. Belogorokhov, V.M. Lakeenkov, L.I. Belogorokhova. Correlation
between microinhomogeneities of composition and additional modes in optical
spectra of solid solutions. Optoelectronics, Instrumentation and Data
Processing, v. 4, p. 73-80 (1998).
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, S. Gavrilov. Investigation of
properties of porous silicon embedded with ZnSe and CdSe. J. Crystal Growth,
p. 188 (1998).
И.А. Курова, Л.И. Белогорохова, А.И. Белогорохов. Особенности оптических
спектров аморфного гидрированного кремния, легированного бором, в инфракрасной
области спектра. Физ. и техн. полупроводн., т. 32, в. 5, с. 631-633 (1998).
А.И. Белогорохов, В.М. Лакеенков, Л.И. Белогорохова. Процессы
фотостимулированного образования двойных поляронов в CdTe и их проявление
в инфракрасной области спектра. Автометрия СО РАН, т. 5, (1998).
А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова. Оптические свойства слоев пористого
кремния, полученных с использованием электролита HCl:HF:C2H5OH. Физ. и техн.
полупроводн., т. 33, в. 2, с. 198-204 (1999).
А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков,
Н.А. Смирнова. К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными
носителями заряда в n-Cd1-xZnxTe. Физ. и техн. полупроводн., т. 33, в. 5,
с. 549-552 (1999).
Тезисы докладов и публикации в трудах конференций
T. Dneprovskaya, V. Dneprovskii, E. Zhukov. Nonlinear optical properties
of semiconductor quantum wires. Proc. of the 4th Int. Symp. on Quantum
Confinement, The Electrochemical Society, Inc., Vol. 97-11, p. 254 (1998).
V. Dneprovskii, T. Kobayashi, E. Mulyarov, S. Tikhodeev, E. Zhukov.
Excitons in semiconductor quantum wires crystallized in transparent dielectric
matrix. 6th Int. Symp. Nanostructures: physics and technology (St.Petersburg,
Russia, June 22-26, 1998), p. 359.
V. Dneprovskii, T. Kobayashi, E. Mulyarov, S. Tikhodeev, E. Zhukov.
Excitons in semiconductor quantum wires crystallized in transparent dielectric
matrix. The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Jerusalem,
1998). Abstract TU-P113.
V. Dneprovskii, Y. Masumoto, E. Zhukov. Optical properties of excitons
in semiconductor quantum wires. 194th Meeting of Electrochemical Society,
A Joint Symp. Between Fifth Int. Symp. On Quantum Confinement - Third Int.
Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter (Boston, 1998).
Abstr., p. 1236.
I.P. Zvyagin. Electronic Superstructures in Doped Semiconductor
Superlattices. 6th Int. Symp."Nanostructures: Physics and Technology",
St.Petersburg, Russia, June 22-26, 1998. Ed. Zh. Alferov and L. Esaki.
Ioffe Institute, St.Petersburg, p. 50-53 (1998).
A.G. Andreev, G. Biskupski, S.V. Egorov, A.G. Zabrodskii, I.P. Zvyagin.
Low-Temperature Thermopower of the Doped p-Ge. The 24th Int. Conf. on the
Physics of Semiconductors (August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel). Abstracts,
p. Mo-P9 (1998).
I.P. Zvyagin, M.A. Ormont. Vertical Screening In Doped Semiconductor
Superlattices with Intentional Disorder. The 24th Int. Conf. on the Physics
of Semiconductors (August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel). Abstracts,
p. Tu-P87 (1998).
I.P. Zvyagin. Electronic Superstructures in Doped Semiconductor
Superlattices. The 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors
(August 2-7, 1998, Jerusalem, Israel). Abstracts, p. Tu-P100 (1998).
И.П. Звягин, А.Г. Казанский, И.А. Курова, Э.Ю. Ларина, Н.Н. Ормонт.
Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний
в a-Si:H при повышенных температурах. Тез. докл. Всероссийского симпозиума
"Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (С.-Петербург, 1998),
с. 19.
А.Г. Казанский, С.М. Петрушко, Н.В. Рыжкова. Фотопроводимость пленок
а-Si:H, легированных методом ионной имплантации. Тез. докл. Всероссийского
симпозиума "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (С.-Петербург,
1998), с. 43.
О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Контроль неоднородностей проводимости вблизи
поверхности легированных полупроводниковых пластин. Труды VI Всероссийской
школы-семинара "Волновые явления в неоднородных средах" (Красновидово,
Моск. обл., май 1998 г.), с. 114-115.
S.F. Marenkin, V.A. Morozova, O.G. Koshelev, G. Biskupski. Lattice
defects in n-doped CdAs2 monocrystals. Int. Conf. SLCS-98 (Montpelier,
France, July 1998). P1-18.
В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, В.П. Сапыгин, Г.С. Юрьев, В.В. Пташинский,
В.В. Астахов. Синтез и оптические свойства тонких пленок ZnAs2.
Международная конф. "Рост и физика кристаллов" (Москва, МИСИС, 17-19 ноября
1998), с. 105.
A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. EXAFS studies
of the influence of impurities on the ferroelectric phase transition in GeTe.
Abstracts of the 6th Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity (Noda,
Japan, 1998), p. 16.
A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. EXAFS study
of the PbTeSe solid solution. Abstracts of the 10th Int. Conf. XAFS X
(Chicago, 1998), M5, 3-28.
I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, A.I. Lebedev, A.V. Michurin, I.H. Munro.
EXAFS studies of InTe-based narrow-gap semiconductors. Abstracts of the
10th Int. Conf. XAFS X (Chicago, 1998), R5, 4-38.
J.A. Litvin, S.T. Chudinovskikh, G.V. Saparin, S.K. Obyden, M.V. Chukichev,
V.S. Vavilov. Diamond of new alkaline carbonate-grafit HP-sinteses:
SEM-morphology, CCS-SEM and CS-spectroscopy studies. Abstract Book,
DIAMOND-1998, European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials,
Nitrites and Silicon Carbide. 13-18 Sept. 1998. Grete. Greece; р.9, 204.
Р.М. Минеева, А.В. Сперанский, Б.Л. Егоров, Л.В. Бершов, М.В. Чукичев.
Спектроскопические особенности поликристаллических алмазов. Тезисы докладов
годичной сессии Всероссийского минералогического общества 1-3 декабря 1998 г.
Москва, с. 59-60.
S.V. Titkov, S.V. Bershov, E. Scandale, G.V. Saparin, M.V. Chukichev.
Nickel Structural Impurity in Natural Diamond. Extended Abstracts of the 7th
International Kimberlide Conference, Cape Town, 1998, р. 911-913.
A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, K.G. Zolina, A.N. Kovalev,
F.I. Manyakhin. Mechanisms of electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN
heterojunctions with quantum wells. Proc. of the 2nd Symp. on III-V Nitride
Mats. and Processes, Vol. 97-34 of Electrochem. Soc., Pennington, NJ,
p. 83-102 (1998).
A.E. Yunovich. A model of the "yellow band" defect complex in GaN.
Proc. of the 2nd Symposium on III-V Nitride Materials and Processes, Vol.
97-34 of Electrochem. Soc., Pennington, NJ, p. 258-260 (1998).
В.Е. Кудряшов, А.Э. Юнович. Анализ спектров электролюминесценции
гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. Тез. докл. 1-й Городской
студенческой научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой
наноэлектронике (С.-Петербург, ноябрь 1997), с. 20-21.
A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin.
Electroluminescent Properties of InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes with
Multiple Quantum Wells. The Third European GaN Workshop (EGW-3), Book of
Abstracts, Warsaw, June 22-24, 1998; p. 40.
F.I. Manyakhin, A.E. Yunovich. Aging Mechanisms of InGaN/AlGaN/GaN
Light-Emitting Diodes During a Work at High Currents. The Third European
GaN Workshop (EGW-3), Book of Abstracts, Warsaw, June 22-24, 1998; p. 78.
A.N. Turkin, V.E. Kudryashov, A.E. Yunovich. A model of electroluminescence
in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum wells. Int. Conf. on
Phys. of Semiconductors (ICPS-24, Jerusalem, Aug. 1998). Abstracts,
Vol. 1, Mo-P184.
A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin.
A model of electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN heterostructures with quantum
wells. MRS Fall Meeting 1998 (Boston, Dec. 1998). Abstr. G6.29.
А.Э. Юнович, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин. Электролюминесценция светодиодов
InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. Материалы 2-го
Всероссийского Совещания "Нитриды галлия, алюминия и индия: структуры и
приборы" (С.-Петербург, июнь 1998 г.), тез. ND01.
А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович.
Изменения люминесцентных и электрических свойств светодиодов из
InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе. Материалы 2-го Всероссийского
Совещания "Нитриды галлия, алюминия и индия: структуры и приборы"
(С.-Петербург, июнь 1998 г.), тез. ND02.
С.С. Мамакин, А.Э. Юнович. Спектры люминесценции светодиодов на основе
структур. Тез. докл. 2-й Городской студенческой научной конференции по
физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике (С.-Петербург,
декабрь 1998), тезисы ОКЯ10.
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, D.R. Khokhlov. Nonmonotonous
behavior of temperature-dependence of plasma frequency and effect of a
local instability of the PbTe:In,Ga lattice. MRS Symposium Proceedings
Series, V. 484, 383-388. (Ed. by S. Sivananthan, M.O. Manasreh, R.H. Miles,
D.L. McDaniel, Jr.), 1998.
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, S. Gavrilov. Investigation of
properties of porous silicon embedded with ZnSe and CdSe. E-MRS Meeting,
Strasburg, France, July, NIV/P8, p. N-7 (1998).
A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, V.A. Kulbachinskii, P.D. Marjanchuk,
I.A. Churilov. Features of optical FTIR spectra of semimagnetic
Hg1-xMnxTe1-ySey single crystals. E-MRS Meeting, Strasburg, France, July,
C/P31, p. C-18 (1998).