Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес
оригинального документа
: http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/pbsntese_r.html
Дата изменения: Fri Nov 8 14:31:37 2002 Дата индексирования: Mon Oct 1 21:07:57 2012 Кодировка: koi8-r |
Из анализа температурных зависимостей удельного сопротивления образцов Pb1-xSnxTe1-ySey во всей области существования твердых растворов построена зависимость температуры фазового перехода (ФП) от состава твердого раствора. Показано, что ФП в кристаллах обусловлен наличием в них нецентральных атомов Sn, упорядочение дипольных моментов которых при малых x невозможно из-за высокого темпа туннельных переходов. В условиях статистического беспорядка, вызванного замещением атомов в анионной подрешетке, темп туннельных переходов уменьшается и ФП становится возможным. С увеличением x ФП в кристаллах приобретает черты перехода типа смещения, что согласуется с теоретическими представлениями о свойствах системы взаимодействующих частиц, движущихся в многоминимумном потенциале с неглубокими ямами.