Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://semiconductors.phys.msu.ru/publ/vmu011_r.html
Дата изменения: Wed Apr 3 19:22:15 2002
Дата индексирования: Mon Oct 1 20:51:03 2012
Кодировка: koi8-r
Обменные эффекты в двумерном электронном газе полупроводника при конечных температурах Работа опубликована в журнале Вестник Московского университета. Серия 3. Физика, астрономия, в. 5, с. 61-64 (2001).

Обменные эффекты в двумерном электронном газе полупроводника при конечных температурах

А.Г. Миронов

Кафедра физики полупроводников

Рассчитана обменная энергия электронов основной подзоны размерного квантования в узкой квантовой яме при произвольных концентрациях и температурах. Определены условия перехода двумерной электронной системы в спиново-поляризованное состояние за счет выигрыша в обменном вкладе в свободную энергию. Показано, что в определенной области концентраций при изменении температуры могут последовательно происходить два перехода -- сначала в поляризованное, а затем в неполяризованное состояние.


Другие исследования по теории полупроводников