Когда же наконец кремний станет материалом для оптоэлектроники? Этот вопрос не сходит со страниц научной прессы. А он то светит слабо, то не в том диапазоне, то быстро деградирует, то технология его получения невоспроизводима.

На недавней конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10-15 сентября с.г.) был представлен доклад сотрудника ИФФТ РАН (Черноголовка) Э.А.Штейнмана, посвященный излучательной рекомбинации на дислокациях в кремнии. Дислокации вводились в образцы либо методом пластической деформации, либо в результате релаксации упругих напряжений в гетероструктуре SiGe/Si. Образцы светят достаточно сильно, а одна из линий свечения (D1) соответствует энергии фотона 0.807 эВ. Такие фотоны как раз попадают в окно прозрачности волоконной оптики. Работы в этом направлении ведутся в ИФТТ уже с 1995 года. Результаты опубликованы в престижных научных журналах [1,2].

V.V.Kveder et al. Phys. Rev. B 1995, 51, 10520.

E.A.Steinman et al. Semicond. Sci. Technol. 1999, 14, 582.

Для контакта steinman@issp.ac.ru

М.Ремизов