Документ взят из кэша поисковой машины. Адрес оригинального документа : http://www.phys.msu.ru/upload/iblock/018/inf_let.doc Дата изменения: Wed Aug 27 23:40:06 2008 Дата индексирования: Mon Oct 1 21:39:07 2012 Кодировка: koi8-r

Восьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и
полупроводниковой опто-
и наноэлектронике

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Физико-технический институт

им. А.Ф. Иоффе


Научно- образовательный комплекс «Санкт-Петербургский физико-технический
Научно образовательный центр РАН»


Санкт-Петербургский государственный университет


Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет

Закрытое Акционерное Общество
«Полупроводниковые приборы»

4 - 8 декабря 2006 г.

[pic]

Председатель:
Сурис Р.А., ФТИ им. А.Ф.Иоффе, С.-Петербург

Члены комитета:
Воробьёв Л.Е., СПбГПУ, С.-Петербург
Глинский Г.Ф., СПбГЭТУ, С.-Петербург
Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск

Жуков А.Е., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,
С.-Петербург
Каган М.С., ИРЭ РАН, Москва
Коренев В.Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе,
С.-Петербург
Красильник З.Ф., ИФМ РАН, Н.Новгород
Кочерешко В.П., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,
С.-Петербург
Новиков Б.В., СПбГУ, С.-Петербург
Сибельдин Н.Н., ФИАН РАН, Москва
Сресели О.М., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,
С.-Петербург
Хохлов Д.Р., МГУ, Москва

[pic]

Председатель оргкомитета:
Воробьев Л.Е., СПбГПУ, С.-Петербург
Ученый секретарь:
Гаврикова Т.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Члены оргкомитета:
Васильева М.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Зыков В.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Ильин В.И., СПбГПУ, С.-Петербург
Каган М.С., ИРЭ РАН, Москва
Кочерешко В.П., ФТИ им. А.Ф.Иоффе,
С.-Петербург
Красильник З.Ф., ИФМ РАН, Н.Новгород
Сибельдин Н.Н., ФИАН РАН, Москва
Сресели О.М., ФТИ им. А.Ф. Иоффе,
С.-Петербург
Фирсов Д.А., СПбГПУ, С.-Петербург
Хохлов Д.Р., МГУ, Москва
Шалыгин В.А., СПбГПУ, С.-Петербург

[pic]

Всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и
полупроводниковой опто- и наноэлектронике посвящается актуальным проблемам
современной физики полупроводников, полупроводниковых приборов и
наноэлектроники; на ней предполагается заслушать доклады по результатам как
экспериментальных, так и теоретических исследований.
Тематика конференции включает следующие основные разделы:
. Объемные свойства полупроводников.
. Процессы роста, поверхность, границы раздела.
. Гетероструктуры, квантовые ямы, квантовые точки, нити, сверхрешетки и
другие низкоразмерные системы.
. Дефекты и примеси.
. Приборы наноэлектроники.
. Оптоэлектронные приборы.
. Новые материалы.


[pic]

Конференция состоится в С.-Петербурге, в Научно-образовательном
комплексе «Санкт-Петербургский физико-технический Научно-образовательный
центр РАН» в период с 4 декабря по 8 декабря 2006 г. Информация о времени
открытия конференции будет сообщена дополнительно.
К участию в конференции приглашаются студенты всех российских ВУЗов и
аспиранты ВУЗов, институтов РАН и других организаций. Будут представлены
устные и стендовые доклады. Тезисы докладов будут опубликованы. Лучшие
доклады будут отмечены дипломами и премиями. Кроме того за лучшую работу в
области оптики полупроводников учреждена премия имени Е.Ф. Гросса. Лучшие
работы прикладного характера (имеющие инновационный потенциал) будут
рекомендованы для участия в конкурсе с номинацией "За научные результаты,
обладающие существенной новизной и перспективой их коммерциализации" с
последующим их финансированием Фондом содействия развитию малых форм
предприятий в научно-технической сфере.
Организационный взнос не предусмотрен.

[pic]

Тезисы докладов в электронном виде объемом не более 1 стр. необходимо
пред-ставить в оргкомитет для рассмотрения в прог-раммном комитете в срок
до 1 ноября 2006 г.

[pic]

Электронный вариант (в формате WinWord) текста тезисов докладов должен
иметь следующие параметры: шрифт - Times New Roman, размер шрифта - 12,
межстрочный интервал - 1.3 (множитель), формат бумаги А4 с полями: верхнее
- 20 мм, нижнее - 25 мм, левое - 20 мм, правое - 20 мм, формулы набирать,
пользуясь Microsoft Equation 2.0-3.0. Если для текста крайне необходим
рисунок, он выполняется в пределах поля для текста в основном файле (по
возможности, желательно без рисунков).
Текст в текстовом поле располагается следующим образом:
на первой строчке (в левом верхнем углу): УДК (вместе с цифрами печатать
прописными буквами);
на следующей строчке (выровнять вправо): инициалы, фамилия студента или
аспиранта строчными буквами, в скобках университет, курс, название кафедры
(можно использовать принятые сокращения); инициалы, фамилия, ученая
степень, должность и место работы руководителя (можно использовать принятые
сокращения), можно в две строки; фамилию докладчика подчеркнуть;
через пробельную строку (выровнять по центру): НАЗВАНИЕ ТЕЗИСОВ ДОКЛАДА
(прописными буквами);
через пробельную строку (с красной строки): текст тезисов.
Электронный вариант текста может быть представлен на дискете (дискеты будут
возвращены авторам) или по e-mail.
К тезисам докладов необходимо приложить справку об авторах, которая
должна содержать полное название университета (института), кафедры,
факультета, фамилию, имя, отчество студента или аспиранта, руководителя,
телефоны, факсы и адреса электронной почты (e-mail) для связи.


[pic]

195251, С.-Петербург, Политехническая ул., 29
С.-Петербургский государственный
политехнический университет,
кафедра физики полупроводников
и наноэлектроники
(II уч. корп., к. 210)

Тел. (812) 552-96-71

e-mail: conf2006@spbstu.ru
http://www.spbstu.ru/rphf/conf2006.html


Восьмая всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и
полупроводниковой опто-
и наноэлектронике


[pic]



Санкт-Петербург

4 - 8 декабря 2006 г.


http://www.spbstu.ru/rphf/conf2006.html