26.09.2003
- Memory
- Systems LSI
- AMLCD
- Optical Media Solution
- Storage System
- Scanning microprobe analysis and physics of nanostructure.
- Physics of solid nanostructure.
- Destructive and/or non-destructive analysis of three-dimensional MOSFETs with sub 50nm size channel length such as Fin-FET, MOSFET on Ultra-Thin Body SOI, Double Gate, Gate All Around Structures, and so on for the future device application. In detail: 1) dopant (Ph, As, Boron, Indium, etc) distribution, 2) movement of the carriers such as electron and hole, 3) electric field analysis including quantum mechanical analysis. (All the devices are assumed fabricated on Silicon, Si/SiGe, and/or Si/SiO2 structures).
- Narrow Gap Semiconductors (defect states including). Most interest is in the analysis of the defect states in pn junction and Si/SiO2 interface. The enhancement of junction leakage current and/or local electric field due to the defect states needs to be studied. The method to minimize the leakage current and electric field is required.
Срок подачи заявок в иностранный отдел факультета - до 30 сентября с.г. по следующей форме:
1.Заявка (на английском языке, объем - 1 стр.):
- Название/тема предлагаемого проекта
- Краткая аннотация с указанием цели исследований, ожидаемых результатов и их значимости
- Предполагаемые сроки, требуемые ресурсы, численность привлекаемой группы ученых МГУ
- Ответственный исполнитель: Ф.И.О., ученая степень, ученое звание, факультет, кафедра, координаты для связи 2.Сопроводительное письмо от кафедры, подписанное зав.кафедрой.
Срочно! Программа МГУ-Samsung Electronics
В связи с проработкой нового соглашения о сотрудничестве между МГУ и компанией Samsung Electronics иностранный отдел факультета просит рассмотреть возможность выполнения совместных проектов с корейскими партнерами на контрактной основе в предлагаемых ими направлениях исследований в области Device Solution:- Memory
- Systems LSI
- AMLCD
- Optical Media Solution
- Storage System
- Scanning microprobe analysis and physics of nanostructure.
- Physics of solid nanostructure.
- Destructive and/or non-destructive analysis of three-dimensional MOSFETs with sub 50nm size channel length such as Fin-FET, MOSFET on Ultra-Thin Body SOI, Double Gate, Gate All Around Structures, and so on for the future device application. In detail: 1) dopant (Ph, As, Boron, Indium, etc) distribution, 2) movement of the carriers such as electron and hole, 3) electric field analysis including quantum mechanical analysis. (All the devices are assumed fabricated on Silicon, Si/SiGe, and/or Si/SiO2 structures).
- Narrow Gap Semiconductors (defect states including). Most interest is in the analysis of the defect states in pn junction and Si/SiO2 interface. The enhancement of junction leakage current and/or local electric field due to the defect states needs to be studied. The method to minimize the leakage current and electric field is required.
Срок подачи заявок в иностранный отдел факультета - до 30 сентября с.г. по следующей форме:
1.Заявка (на английском языке, объем - 1 стр.):
- Название/тема предлагаемого проекта
- Краткая аннотация с указанием цели исследований, ожидаемых результатов и их значимости
- Предполагаемые сроки, требуемые ресурсы, численность привлекаемой группы ученых МГУ
- Ответственный исполнитель: Ф.И.О., ученая степень, ученое звание, факультет, кафедра, координаты для связи 2.Сопроводительное письмо от кафедры, подписанное зав.кафедрой.
Источник:
Иностранный отдел
