... 8) N Dи N A - плотности доноров и акцепторов, соответственно, а оксидные заряды полагаются локализованными возле границы раздела полупроводник-диэлектрик, что является хорошим приближением в случае границы раздела Si-SiO2 . ... Уравнение (12) получено из условия нейтральности объема полупроводника в отсутствии внешнего поля: N D + N A = n 0 + p0 , где (14) n 0и p 0 плотности электронов и дырок в зоне проводимости и валентной зоне, соответственно, в отсутствии внешнего поля. ...