Поиск по:scon155.phys.msu.su -
Поискать по всем серверам
На этой странице приведены все страницы сервера scon155.phys.msu.su ,которые мы индексируем. Показаны документы 201 - 220 из 287.
Упорядочить по:
URL
|
дате изменения
201. http://scon155.phys.msu.su/publ/PhysicaScripta_115_365.pdf
... T115, 365ґ368, 2005 Determination of Tm Charge State in PbTe (Tm) by XANES Method A. I. Lebedev1 , I. A. Sluchinskaya1* , S. G. Nikitenko2 and S. G. Dorofeev 1 2 3 3 Physics Department, Moscow State University, Leninskie gory, 119899 Moscow, Russia Institute of Catalysis, 630090 Novosibirsk, Russia Chemistry Department, Moscow State University, Leninskie gory, 119899 Moscow, Russia Received June 26, 2003; accepted November 4, 2003 pacs numbers: 61.10.Ht, 72.80 ...
[
Текст
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/PhysicaScripta_115_365.pdf -- 77.8 Кб -- 22.04.2005
Похожие документы
Похожие документы
202. A new method for determining parameters of the potential well of off-center
... A new method is proposed that makes it possible to determine the parameters of the three-dimensional (3D) multiwell potential of off-center atoms from extended X-ray absorption fine-structure (EXAFS) data. ... The parameters of the multiwell potential for Ge atoms in the Sn 1-x Ge x Te solid solution as functions of temperature and composition (77<T<300 K, x>0.4) were obtained in the classical approximation. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/CRRS94.html -- 2.7 Кб -- 15.01.2005
Похожие документы
Похожие документы
203. http://scon155.phys.msu.su/publ/PhysRevB_55_p14770.pdf
... The local environment of these atoms in Ge0.9Pb0.1Te and Ge0.85Sn0.15Te solid solutions was shown to be strongly distorted in comparison with that in binary PbTe and SnTe compounds. ... EXAFS function k ( k ) obtained at the Pb L III edge for Ge0.9Pb0.1Te and PbTe samples at 80 K. Points indicate filtered data ( R 1.4 4.3 е ; solid line is the best theoretical approximation within the model with two Pb-Te distances in the first shell and equal Pb-Ge and Pb-Pb distances in the second shell. ...
[
Текст
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/PhysRevB_55_p14770.pdf -- 66.3 Кб -- 08.01.2005
[ Текст ] Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/prb.pdf -- 66.3 Кб -- 08.01.2005
Похожие документы
[ Текст ] Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/prb.pdf -- 66.3 Кб -- 08.01.2005
Похожие документы
204. http://scon155.phys.msu.su/publ/CRRS94.pdf
... The main features of this approach are the expansion of the 3D potential of a cluster in a power series of an atomic displacement taking into account the restrictions imposed by the lattice-site symmetry and exact 3D integration of the distribution function in calculations of EXAFS spectra. The parameters of the multiwell potential for Ge atoms in the Sn1 н xGexTe solid solution as functions of temperature and composition (77 T 300 K, x 0.4) were obtained in the classical approximation. ...
[
Текст
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/CRRS94.pdf -- 56.5 Кб -- 16.12.2004
Похожие документы
Похожие документы
205. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (InP) --
... В.С. Днепровский , Е.А. Жуков, Н.Ю. Маркова, Е.А. Муляров, К.А. Черноуцан, О.А. Шалыгина . ... Особенности спектров поглощения, люминесценции, эффективности люминесценции при возбуждении образцов излучением лазера различной поляризации, нелинейная зависимость интенсивности люминесценции от уровня возбуждения объяснены экситонными переходами в квантовых нитях полупроводник (InP)--диэлектрик (хризотил асбест). ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/dn2000-1.html -- 2.6 Кб -- 08.12.2003
Похожие документы
Похожие документы
206. http://scon155.phys.msu.su/header.html
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/header.html -- 1.2 Кб -- 07.12.2003
Похожие документы
Похожие документы
207. http://scon155.phys.msu.su/publ/ecology3.pdf
... 1923 . ... 1990 100 , -- . 2007 . ... 20 120 . 2010 ., , 100 . 1960 .. , . ... 62 4(33)'2003 10 2 2. ... 12 50ґ100 , , , -- , . ... 2002 . ... XXI ? 4 , 2010 . ... Hewlett Packard Philips -- LumiLeds; Siemens Osram -- Osram Optosemi conductors; General Electric Emcore -- Gelcore . ... 850 1000 . ... Osram Optosemiconductors, 63 ( ) , 14 . ...
[
Текст
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/ecology3.pdf -- 205.1 Кб -- 05.11.2003
Похожие документы
Похожие документы
208. http://scon155.phys.msu.su/publ/review.pdf
XAFS- -- 2000 c . ... SEXAFS) , , ґ . 1 2 XANES -- X-ray absorption near-edge structure. EXAFS -- extended X-ray absorption fine structure. ... XMCD, . ... XANES, 30 , EXAFS, . ... EXAFS : , , , . EXAFS - ( ), XANES, , , , , . ... C Cu K-, Pt -- LIII -. ... 100ґ1000 , , . ... EXAFS (surface EXAFS -- SEXAFS). ... EXAFS c(2в2)S Ni(100), - . ... 28 InSb -- , . ... EXAFS InSb . ... SiO 2 , Al2 O3 , . ... XAFS- ; EXAFS , XANES -- . ... EXAFS EXAFS , , EXAFS, XMCD (. ... Phys., 53, 769 (1981). ...
[
Текст
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/review.pdf -- 495.9 Кб -- 12.12.2002
Похожие документы
Похожие документы
209. http://scon155.phys.msu.su/publ/chapter1.pdf
... Pb1-x Snx Te Sn1-x Gex Te [26, 27], [28], [29, 30], [28, 31], [32, 33] [34, 35, 36, 37] . ... Phys. Rev. B, 1983, v. 28, N 12, p. 7130ґ7140. ... 16] Iizumi M., Hamaguchi Y., Komatsubara K.F., Kato Y. Phase transition in SnTe with low carrier concentration. ... 32] Volkov V.L., Litvinov V.I., Baginskii V.M., Tovstyuk K.D. The soft mode and phase transition in Pb1-x Snx Te. ... 37] Clarke R. X-ray study of the structural phase transition in Snx Ge Phys. Rev. B, 1978, v. 18, N 9, p. 4920ґ4926. 1-x Te. ...
[
Текст
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/chapter1.pdf -- 426.2 Кб -- 05.12.2002
Похожие документы
Похожие документы
210. Экситоны перестают быть экзотическими квазичастицами
Работа опубликована в Соросовском образовательном журнале, т. 6, в. 8, с. 88-92 (2000). В.С. Днепровский . Увеличение энергии связи и силы осциллятора экситонов в наноструктурах и усиление кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой, образующими экситон, в наноструктурах полупроводник-диэлектрик позволяют создавать работающие при комнатной температуре приборы, действие которых основано на физических процессах, определяемых экситонными состояниями. Текст статьи в формате PDF . ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/excitons.html -- 1.9 Кб -- 13.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
211. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе
... Исследованы квантовый выход и спектры люминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне токов J=10 -6 -10 -1 А. Светодиоды фирмы Hewlett Packard имели небольшой разброс квантового выхода излучения ( ? ... Рассчитана энергетическая диаграмма структуры с множественными квантовыми ямами, которая объясняет 4 параметра модели рекомбинации в хвостах двумерной плотности состояний. ... Люминесценция гетероструктур с квантовыми ямами ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/yu2001-1.html -- 3.5 Кб -- 10.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
212. Особенности оптических спектров аморфного гидрированного кремния, легированного
... В оптических спектрах исследованных пленок a-Si:H(B) обнаружены колебательные моды на волновых числах 1879 и 1848 см -1 , ранее наблюдавшиеся только в спектрах кристаллического диборана. Это указывает на образование в аморфной сетке комплексов и связей, подобных имеющимся в диборане, в частности, мостикового водорода. ... Другие работы по исследованию аморфных полупроводников ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/ku1998-1.html -- 2.6 Кб -- 10.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
213. Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных
... Обсуждается кинетика релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний, обусловливающих повышение темновой проводимости пленок a-Si:H<P>. Установлено, что релаксация описывается функциями типа растянутой экспоненты с параметрами \tau и \beta, различно зависящими от температуры для фото- и термоиндуцированных состояний. ... Установленные особенности релаксации фото- и термоиндуцированных метастабильных состояний обусловлены разными механизмами их образования. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/ku2000.html -- 2.7 Кб -- 08.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
214. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на
... Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность неотожженных пленок велика, отношение фотопроводимости к темновой проводимости достигает величины K=3.4 * 10 6 . ... Проводимость пленок, отожженных при температуре выше 500 o C, определяется суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/ku2001.html -- 2.5 Кб -- 08.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
215. Влияние уровня легирования на фотопроводимость пленок микрокристаллического
... Исследовано влияние уровня легирования бором пленок микрокристаллического гидрированного кремния на температурные зависимости стационарной фотопроводимости и времени фотоответа. ... Получено, что с ростом уровня легирования величина стационарной фотопроводимости и время фотоответа возрастают. Предложена модель рекомбинации неравновесных носителей, учитывающая многофазную структуру микрокристаллического кремния и позволяющая удовлетворительно объяснить полученные результаты. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/kaz2002-1.html -- 2.3 Кб -- 08.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
216. Влияние температуры на фотопроводимость и кинетику ее спада в
... Исследовано влияние температуры на стационарную фотопроводимость и релаксацию фотопроводимости после прекращения освещения в пленках слабо легированного бором микрокристаллического гидрированного кремния. Измерения проводились в области температур 150-430 K при облучении пленок квантами света с энергией 1.4 эВ. Из измерений стационарной фотопроводимости и ее релаксации получены температурные зависимости времени фотоответа и дрейфовой подвижности носителей в микрокристаллическом кремнии. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/kaz2001-1.html -- 2.3 Кб -- 08.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
217. Поглощение и фотопроводимость в компенсированном бором c-Si:H
... Исследованы поглощение, проводимость и фотопроводимость фоточувствительного слабо легированного бором mc-Si:H . Зависимости фотопроводимости от температуры и интенсивности света измерены в области температур 100-400 K для различных энергий квантов (0.9, 1.3 и 1.8 эВ). Полученные результаты объясняются определяющим вкладом микрокристаллической фазы и состояний на границах раздела микрокристаллов в перенос и рекомбинацию неравновесных носителей в mc-Si:H . ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/kaz2000-1.html -- 2.2 Кб -- 08.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
218. Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной
... Исследовано влияние концентрации примесей (фосфора и бора) на фотопроводимость пленок аморфного гидрированного кремния, гидрированного и легированного методом ионной имплантации. Проведено сопоставление с данными для пленок, легированных из газовой фазы. ... Фотопроводимость имплантированных фосфором пленок возрастает с уровнем легирования и на порядок величины меньше фотопроводимости пленок, легированных фосфором из газовой фазы. ... Аморфные и микрокристаллические полупроводники ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/kaz1999-1.html -- 2.6 Кб -- 08.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
219. Структурный беспорядок и фазовый переход в PbSnTeSe
... Из анализа температурных зависимостей удельного сопротивления образцов Pb 1-x Sn x Te 1-y Se y во всей области существования твердых растворов построена зависимость температуры фазового перехода (ФП) от состава твердого раствора. Показано, что ФП в кристаллах обусловлен наличием в них нецентральных атомов Sn, упорядочение дипольных моментов которых при малых x невозможно из-за высокого темпа туннельных переходов. ... Другие работы по исследованию нецентральных примесей ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/pbsntese_r.html -- 2.7 Кб -- 08.11.2002
Похожие документы
Похожие документы
220. Фазовые переходы в твердом растворе PbGeTeS, вызванные упорядочением
... На основании электрических, диэлектрических и рентгеновских измерений установлено, что в твердом растворе Pb 1-0.06z Ge 0.06z Te 0.92+0.08z S 0.08-0.08z , содержащем два типа нецентральных примесей (Ge, S), при всех значениях параметра z происходит сегнетоэлектрический фазовый переход (ФП). Зависимость температуры ФП от z имеет минимум вблизи z=0.5, связываемый с появлением в кристаллах случайных полей, сопряженных параметру порядка, которые обусловлены статистической структурой твердого раствора. ...
[
Сохраненная копия
]
Ссылки http://scon155.phys.msu.su/publ/pbgetes_r.html -- 2.5 Кб -- 08.11.2002
Похожие документы
Похожие документы